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全国2012年四月高等教育自学考试电子技术基础(一)试题课程代码02234
全国2012年4月高等教育自学考试
电子技术基础(一)试题
课程代码:02234
一、单项选择题本大题共l5小题,每小题2分,共30分)
在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。
1.在本征半导体中加入少量的五价元素后,可形成( )
A.P型半导体,其少子为自由电子 B.N型半导体,其多子为自由电子
C.P型半导体,其少子为空穴 D.N型半导体,其多子为空穴
2.理想二极管构成的电路如题2图所示,则输出电压UO为( )
A.3V
B.0V
C.-3V
D.-V
3.关于三极管的结构特点,以下说法不正确的为( )
A.基区很薄 B.基区掺杂浓度最高
C.发射区掺杂浓度最高 D.发射结的结面积小于集电结的结面积
4.测得某放大电路中的三极管,各管脚电位如题4图所示,则可判定该管为( )
A.锗管①为b极
B.硅管③为c极
C.锗管②为e极
D.硅管③为b极
5.题5图所示为场效应管符号。( )
A.N沟道增强型
B.N沟道耗尽型
C.P沟道增强型
D.P沟道耗尽型
6.关于射极输出器的特点,以下说法错误的是( )
A.输入电阻很大 B.输出电阻很小
C.电压放大倍数近似等于l D.输出电压与输入电压相位相反
7.放大电路如题7图所示,该电路引入了交直流( )
A.电流并联负反馈
电流串联负反馈
C电压并联负反馈
D.电压串联负反馈
8.题8图所示的RC桥式正弦波振荡电路的振荡角频率为( )
A.RC
B.2πRC
C.
D.
9.单相桥式整流电容滤波电路,接负载RL=120,已知变压器二次侧电压有效值U2=100V,则输出电流的平均值I0为( )
A.1A B.0.5A
C.0.75A D.2A
10.电路如题10图所示,已知稳压二极管稳定电压UZ=6V,则输出电压UO为( )
A.12V
B.6V
C.14V
D.0V
11.四变量逻辑函数F(A,B,C,D)的最小项m10为( )
A. B.
C.ABC D.ACD
l2.题l2图为同步RS触发器,已知SD=RD=l。在CP=1期,当S=1,R=0时,触发器输出状态Qn+1为( )
A.1
B.0
C.Qn
D.不定
3.集成双向移位寄存器74LSl94应用电路如题13图所示,设电路初态Q0Q1Q2Q3=1001,则经过三个CP脉冲作用后,电路状态Q0Q1Q2Q3=( )
A.1001
B.0011
C.110
D.1100
14.十六进制数(5B)16所对应的二进制数为( )
A.(1011001)2 B.(1011101)2
C.(1011011)2 D.(1101011)2
l5.由555构成的施密特触发器当5脚悬空时,回差电压△U为( )
A. B.
C.UCC D.0
二、填空题(本大题共9小题,每小题1分,共9分)
请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。
l6.已知某放大状态的晶体管=99,IE=1mA,则IB=__________mA。
17.在甲类、乙类、甲乙类这三种功率放大电路中,效率最低的是____________功率放大电路。
18.产生自激振荡的幅值平衡条件为AF=__________。
l9.负反馈放大电路当满足反馈深度 __________时,称为深反馈放大电路。
20.单相半波整流电路,变压器副边电压的有效值U2=20V,输出电压的平均值为__________V。
21.十进制数(74.56)10所对应的8421BCD码为(__________)8421BCD。
22.在逻辑电路中,将OC的输出端直接联在一起,称为__________联接。
23.T触发器的特性方程为__________。
24.由555构成的多谐振荡器有__________个暂稳态。
三、分析计算题(本大题共5小题,每小题8分,共40分)
25.放大电路如题25图所示,三极管的电流放大系数为,输入电阻为,发射结静态压降为UBEQ。电容C1、C2容量足够大。要求:
①画出直流通路,写出静态量ICQ、UCEQ的表达式;
②画电路的交流微变等效电路;
③写出输出电阻r0的表达式。
26.由理想集成运算放大器构成的运算电路如题26图所示。
①请问A1、A2各构成何种运算电路?
②若ui=10mV,分别计算Ol和O2;
③指出A2引入了何种负反馈组态。
27.将下列逻辑函数式化为最简“与或”式。
①F1(A,B,C,D)=∑m(0,2,5,7,8,l0,13,15)
②F2=
28.已知电路如题28图所示。要求:
①写出F的逻辑函数表达式并化为最简“与或”式;
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