cpu结构及存储器.ppt

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cpu结构及存储器

8086在最小模式下的典型配置 五、时序与总线周期 一、时钟周期:由计算机的主频决定(主频的倒数),用 T 表示。 二、总线周期:8086/8088通过总线对存储器或 I/O接口进行一次访 问所用的时间称为一个总线周期。 三、指令周期:CPU从主存取一条指令并执行该条指令所用的时间,它可以包含若干个总线周期。 四、一个总线周期至少包括 4 个时钟周期。 五、时序与总线周期 . 六 系统的总线操作 1. 最小系统模式下的总线读操作 2. 最小系统模式下的总线写操作 3. 系统的复位和启动操作 4. 中断响应总线周期 5. 最小系统模式下的总线保持 六 8086/8088的存储器组织 字节和字的地址。 字传送:高字节数 高地址 低字节数 低地址 (反之同样) 一、用段来组织逻辑空间 1、每段最长可达 64K字节 2、各段起始地址能被 16 整除。(低 4 位为 0 ) 3、各段之间可分开、部分或完全重叠、可首尾相接。 4、根据各段的用途将其定义为CS、DS、ES、SS段。并用偏移 地址(距段起址的字节距离)表示被访问单元。 通常在CS中用 IP 表示偏移量,SS中用 SP、BP,DS中用 BX、SI、DI、数值 。 二、实际地址的形成 实际地址:20 位 逻辑地址: 段基址 (段寄存器的内容)16位 偏移地址(字节距离)16位 一个实际地址可用多个逻辑地址表示。 实际地址的形成(BIU完成) 三、8086用两个存储体来组织实际存储空间 七 8086/8088的堆栈 建栈 MOV AX ,1050H MOV SS ,AX MOV SP ,000 EH 进栈 PUSH AX (设 AX=1234H PUSH BX (设 BX=5CF8H) 出栈操作:先栈顶内容出栈,再修改SP,使SP加2。(字操作) 出栈 POP CX POP DS 存储器 一,存储器的分类与指标 二,CPU与存储器的连结 三,静态RAM(6116,6264) 四,动态RAM(2164) 五,EPROM(2764,2732) 六,EEPROM(2864) 2.存储器的主要性能指标 (1) 存储容量 存储容量 = 单元数× 数据线位数(bit) 例:6264 SRAM的容量为 (8K*8bit) 41257 DRAM的容量为 (256K*1bit) 2114 DRAM的容量是 (1K*4bit) (2) 速度(存储器访问时间) 低速在300 ns以上 , 中速在100 ns ~ 200 ns之间,超高速小于20 ns。 6116 RAM存储时间120 ns; 2764 EPROM是200 ns。 CPU 4T 大于 存储器存储时间 二,CPU与存储器的连结 1.存储器的基本结构(一片) 2.地址线的连结(地址线数目取决于芯片的容量) 3.数据线的连结(数据线的数目取决于芯片的位数) 4.控制信号的连结(读.写.片选) ROM只连RD,RAM连RD和WE。 最小方式读写信号由CPU产生,最大方式由8288产生。,片选信号由译码电路产生。 5. CPU与存储器连结注意的问题 (1) CPU总线的负载能力 (2) CPU的时序与存储器存取速度的配合 (3) 译码电路设计 (4) 位扩展,字扩展,位字扩展 (1) 随机存取存储器(RAM) a. 静态RAM(SRAM) 1.SRAM组成半导体存储器,不管是RAM还是ROM,其基本的存储电路存储一位二进制信息。芯片内部由若干位(通常1、4或8位)组成一个基本存储单元。基本存储单元按一定的规律组合起来,一般按矩阵方式排列,构成存储体。 SRAM采用触发器电路构成一个二进制位信息的存储电路。其内部除存储体外,还有地址译码驱动电路、控制逻辑电路和三态双向缓冲器等。图5-2

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