CSK试块种类与区别.doc

CSK-IA和CSK-IB试块的主要用途? 两个试块的主要区别在于：CSK—IB试块在原有CSK-IA的基础上增加了测试斜探头折射角的刻度面。使用要点如下：? 1)利用厚度25mm测定探伤仪的水平线性、垂直线性和动态范围2)利用厚度25mm和高度100mm调整纵波探测范围；? 3)利用R50和R100校定时基线或测定斜探头的入射点；? 4)利用高度85、91、100ram测定直探头的分辨力；? 5)利用中40、中44、中50ram曲面测定斜探头的分辨力；? 6)利用中50有机玻璃圆孔测定直探头盲区和穿透能力；? 7)利用中50曲面和巾1．5横孔测定斜探头的K值；? 8)利用高度9lmm(纵波声程9lmm相当于横波50mm)调节横波1：1扫描速度，配合R100作零位校正；? 9)、利用试块直角棱边测定斜探头的声轴偏斜角。CSK—IA试块 超声波探伤仪的分类－显示方式：A型B型C型发射波连续性分：脉冲波连续波。声波通道：单通道多通道超声波探头的主要作用－超声波的发射和接收是通过探头来实现的。发射和接收的原理－超声波探伤中的压电晶片具有压电效应，当高频电脉冲激励压电晶片时，发生逆压电效应，将电能转换为声能（机械能），发射超声波；当探头接收超声波时，发生正压电效应，将声能转换为电能。不难看出超声波探头在工作时实现了电能和声能的相互转换，因此常把探头叫做换能器。正压电效应－某些晶体材料在交变应力作用下，产生交变电场的效应称为正压电效应。逆压电效应－当晶体材料在交变应力作用下，产生伸缩变形的效应称为逆压电效应。压电晶体－具有压电效应的材料称为压电晶体材料。衡量压电晶体材料的材料性能的主要参数物理意义－压电应变常数表示在压电晶体上施加单位电压时所产生的应变大小压电材料的居里温度－超过一定温度压电效应就会消失。使压电材料的压电效应消失的温度。超声波探头的分类－波型不同分：纵波横波表面波耦合方式分：接触式探头液（水）浸探头波束分：聚焦非聚焦晶片数分：单晶双晶纵波直探头主要结构各部分的主要作用－压电晶片发射和接收超声波，实现电声转换。保护膜保护压电晶片不致磨损和损坏。吸收块对压电晶片的振动起阻尼作用，吸收晶片背面的杂波提高信噪比，支承晶片，外壳将各部分组合在一起。横波斜探头主要结构各部分的主要作用－直探头和透声斜楔－实现波型转换。试块－按一定用途设计制作的具有简单几何形状人工反射体的试样。作用：①确定探伤灵敏度②测试仪器和探头的性能③调整扫描速度④评判缺陷大小。试块的分类－①按试块来历分：标准试块参考试块②按试块上人工反射体分：平底孔试块横孔试块槽常用试块－IIW、IIW2、CSK－IA、半圆试块、CSK－IIA、CSK－IIIA试块。IIW2试块主要用途：①测定斜探头入射点：利用R25与R50圆弧反射面测；②测定斜探头的折射角：利用∮5横孔测；③测定仪器水平、垂直线性和动态范围：利用厚度12.5测；④调整探测范围和扫描速度：纵波直探头用12.5底面多次反射调，横波斜探头用R25和R50⑤测仪器和探头的组合灵敏度：利用∮5或R50圆弧面测。IIW试块主要用途：1.调整纵波探测范围和扫描速度(时基线比例)：利用试块上25或100测。2.测仪器的水平线性、垂直线性和动态范围：利用试块上25或100测。3.测直探头和仪器的分辨力：利用试块上85、91和100测。4.测直探头和仪器组合后的穿透能力：利用∮50有机玻璃块底面的多次反射波测。5.测直探 头和仪器的盲区范围：利用试块上∮50有机玻璃圆弧面和侧面间距5和10测。6.测斜探头的入射点：利用试块上R100圆弧面测。7.测斜探头的折射角：在35°-76°用∮50孔测，74°-80°用∮1.5孔测.8.测斜探头和仪器的灵敏度余量：利用试块上R100或∮1.5测9.调整横波探测范围和扫描速度：由于纵波声程91相当于横波声程50，因此可以利用试块上91来调整横波的探测范围和扫描速度。例如横波1：1，先用直探头对准91底面，使底波B1、B2分别对准50、100。然后换上横波探头并对准R100圆弧面，找到最高回波，并调至100即可。10.测斜探头声束轴线的偏离：利用试块的直角棱边测。IIW试块和CSK－IA试块三点改进-1。将直孔∮50、∮44、∮40台阶孔，以便于测定横孔斜探头的分辨力.2．将R100改为R100R50阶梯圆弧，以便于调整横波扫描速度和探测范围。3．将试块上标定的折射角改为K值(K=tgβs)从而直接测出横波斜探头的K值。CSK－IA试块其它功能同IIW试块，材质同工件。超声波探伤仪和探头的主要性能指标-垂直线性测试步骤：-1.0衰减保留30dB;2.直探头IIW试块上对准25底面用压块恒定压力。3.调节仪器使试块上某次底