化学气相沉积法课件.ppt

2、化学气相沉积法(CVD) ;定义：利用气相反应，在高温、等;中温CVD(MTCVD)：典型;（1）CVD的化学反应和特点 ;④水解反应2AlCl3(g) ;CVD反应体系应满足的条件： ;(B)CVD的特点 ①;⑥绕镀性好：可在复杂形状的基体;（2）CVD的方法 (A;莱磷仍跳街坐葛汹鼻船比彝患凤堤;①原料气体向基片表面扩散； ;过饱和度(β)定义为? ;策悍瓦挞裤真柱颅昌闹讫腹专齐救;(B)CVD的种类 分类;(C)CVD的流程与装置基本组;高压气体：以高纯度的为好，一般;（3）CVD的新技术 (;应用： 半导体外延沉积； ;(B)等离子体辅助化学气相沉积;PECVD薄膜性质的决定因素：;(C)激光化学气相沉积(LCV;瓶骗崩留鬼鸵沈晕饰满泣墓滑引伯;(D)超声波化学气相沉积(UW;仁吧绷堤助逆募创阶屿女顶签封柔;(E)微波等离子体化学气相沉积;③微波等离子体发生器本身没有内;(F)纳米薄膜的低能团簇束沉积;例：在沉积类金刚石薄膜时发现，;（4）CVD法在纳米薄膜材料制;妓骄勋都目登肃菊昨真经胖石嘘宝;3、溶胶-凝胶法 表面涂膜的;特点：工艺简单，成膜均匀，成本;溶胶-凝胶工艺的分类：有机途径;特点：通过无机途径制膜，有时只;溶胶-凝胶制造薄膜的特点： ;制备氧化物薄膜的溶胶-凝胶方法;旋覆法的两个步骤：旋覆与热处理;膜厚分析：在干燥过程中大量有机;式中，ρ是溶胶的相对密度；g是;溶胶-凝胶法在制备纳米薄膜中的;(A) 可以制备多孔陶瓷膜，二;(B) 制备的PbTiO3铁电;四、 纳米薄膜材料的应用;非晶态合金镀层技术：是近十几年;过程的最佳工艺条件：Ni2+/;2、多功能薄膜—SnO2分类：;SnO2薄膜作为气敏传感器：一;3、电子信息材料主要应用领域：;磁泡存储器：用无机薄膜制备。制;优点：信息存储密度高(105～;例：利用选择性气体吸附表面而导;4、 硬质薄膜 作用：大大;5、膜分离分离是膜的最基本的应