第11章磁场中的磁介质.pptVIP

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(1)由于被磁化的铁磁质受体内杂质和内应力等作用,当撤掉外磁场时磁畴的畴壁很难恢复到原来的形状,因而表现出来磁滞现象。 矩磁材料 磁滞回线呈矩形,在两个方向上的剩磁可用于表示二进制的“0”和“1” ,用于随机存取信息的存储器中。 三.铁磁质的微观结构 磁畴 铁磁 性主要来源于电子的自旋磁矩。按量子效应,自旋磁矩趋向能量较低的平行排列状态,即使没有外磁场,自旋磁矩也可以自发地形成一个个磁化区——磁畴 磁畴是自发的磁化区域。磁畴的体积约为10?12~10?8米3,其中含有约1017~1021个分子 。 每一磁畴中,各原子的排列很整齐,因此具有很强的磁性。但不同的磁畴排列方向彼此不同,所以没有外磁场时,各磁畴磁矩相互抵消,对外不显磁性. 磁畴 没有外磁场时: 加上外磁场 :在外磁场较弱时,自发磁化方向与外磁场方向相同或相近的那些磁畴逐渐增大(畴壁位移)。在外磁场较强时,磁畴自发磁化方向作为一个整体,不同程度地转向外磁场方向。 演示动画:铁磁质的磁化 没有外磁场时 加外磁场时 加外磁场时 加外磁场时 加外磁场时 各磁畴磁矩取向趋于一致,且与外磁场方向相同,铁磁质会表现出很强的磁性。通常铁磁质产生的附加磁场要比外磁场要大好几个数量级。 (2) 铁磁质还具有磁致伸缩的性质,磁致伸缩是因磁畴在外磁场中的取向,改变了晶格间距而引起的。 (3)当温度升高时,热运动会瓦解磁畴内磁矩的规则排列;在临界温度(居里点)时,铁磁质完全变成了顺磁质。 用磁畴的观点解释铁磁体磁化过程的特性 (4)当各磁畴磁矩取向趋于一致,且与外磁场方向相同时,再增加外磁场强度,铁磁质产生的附加磁感应强度不再增加了,达到了磁饱和状态。 * * 第11章 磁场中的磁介质 1. 磁介质 磁化强度 2 . 有介质时的安培环路定理 磁场强度 3 . 铁磁质 重点: 磁介质对磁场的影响、 H的环路定理 内容: 难点: 抗磁质的磁化机理 11.1 磁介质 磁化强度 磁介质的磁化 观察铁芯对电磁感应的影响 使线圈中的磁通量大大增加 实验发现:如果在载流导线周围空间不是真空,而是充满某种各向同性的磁介质,则磁感应强度增加?r倍 ?r称为磁介质的相对磁导率 (1) ?r 1:顺磁质,如氧、铝、钨、铂、铬等。 (2) ?r 1:抗磁质,如氮、水、铜、银、金、铋等。 (3) ?r 1:铁磁质,如铁、钴、镍等 ?r = 0表示完全抗磁性,如超导体是理想的抗磁体 11.1.1 磁介质的三种类型 11.1.2 顺磁质和抗磁质磁化的微观机理 原子中的电子绕原子核以速率v 作半径为r的圆周运动——电子的轨道磁矩 演示动画:电子的轨道运动 (1)分子磁矩:m 原子中电子除了作绕核的轨道运动外,还有自旋,相应地有自旋磁矩 原子核也作自旋—核自旋磁矩 分子磁矩m是电子轨道磁矩、电子自旋磁矩、核自旋磁矩的矢量和 分子磁矩磁效应总和等效一圆电流 (2)顺磁质——有固有磁矩(即通常情况下各磁矩矢量和不为零) 抗磁质——没有固有磁矩(即通常情况下各磁矩矢量和为零),在外磁场中会产生感应磁矩 (3)磁介质磁化 没有外磁场 顺磁质 在外磁场中 在无外磁场时,分子磁矩排列杂乱,宏观上不产生磁效应,温度越高顺磁效应越弱。 分子电流观点 分子环流 一个分子相当于一个环行电流 分子磁矩 无外磁场时,分子环流的取向杂乱无章,磁矩相互抵消 演示动画:磁化面电流 I0 I0 I/ I/ I/ 励磁电流 磁化电流 0 在外磁场中分子磁矩将不同程度地沿外磁场方向排列起来,在宏观上呈现出附加磁场,这个附加磁场的方向与外磁场方向相同,使介质中的磁感应强度增加。 顺磁场在外磁场中的磁化过程称为取向磁化。 对顺磁质B/与B0同向 则磁介质中的磁场为:B=B0+B/ 对抗磁质,以电子轨道磁矩为例 加上外磁场后,电子将受到洛伦兹力。简单起见,设电子轨道平面与磁场垂直。 (1)?与B同向时 此时洛伦兹力向心,设轨道半径不变,由洛伦兹力引起的??方向与?0同向,有?= ?0+ ??。可得??值,而??的方向与外磁场B同向,原有的磁矩m0有改变量为?m, ?m为附加磁矩,方向与外磁场B反向。 I (2)?与B反向时 此时洛伦兹力离心,设轨道半径不变,由洛伦兹力引起的??方向与?0反向,有?= ?0- ??,同样分析可得有同样的??值,且??的方向仍与外磁场B同向,原有的磁矩m0的改变量为?m, 附加磁矩?m方向还是与外磁场B反向。 -附加磁矩?m与B反向 I 以上只讨论?0与B平行的情况,理论上可证明,当两者成任何角度时, ??总与B同向,从而产生的附加磁矩?m总与B反向,抗磁质无固有磁矩,

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