集成电路与工艺原理4.ppt

集成电路工艺原理 第四章 离子注入 本章概要 概述 离子注入装置 离子注入物理基础 离子注入理论分析 其他 4.1 概述 4.1 概述 4.1 概述 4.1 概述 4.1 概述 4.1 概述 4.1 概述 4.1 概述 4.1 概述 4.1 概述 4.1 概述 4.1 概述 4.1 概述 4.1 概述 4.1 概述 4.1 概述 4.2 离子注入装置 4.2 离子注入装置 4.2 离子注入装置 4.2 离子注入装置 4.2 离子注入装置 4.2 离子注入装置 4.2 离子注入装置 4.2 离子注入装置 4.2 离子注入装置 4.2 离子注入装置 4.2 离子注入装置 4.2 离子注入装置 4.2 离子注入装置 4.2 离子注入装置 4.2 离子注入装置 4.2 离子注入装置 4.2 离子注入装置 4.3离子注入物理基础 4.3离子注入物理基础 4.3离子注入物理基础 4.3离子注入物理基础 4.3离子注入物理基础 4.3离子注入物理基础 4.4离子注入理论分析 4.4离子注入理论分析 4.4离子注入理论分析 4.4离子注入理论分析 4.4离子注入理论分析 4.4离子注入理论分析 4.4离子注入理论分析 4.4离子注入理论分析 4.4离子注入理论分析 4.4离子注入理论分析 4.4离子注入理论分析 4.4离子注入理论分析 4.4离子注入理论分析 4.4离子注入理论分析 4.4离子注入理论分析 4.4离子注入理论分析 4.4离子注入理论分析 4.4离子注入理论分析 4.4离子注入理论分析 4.4离子注入理论分析 4.4离子注入理论分析 4.4离子注入理论分析 4.4离子注入理论分析 4.4离子注入理论分析 4.4离子注入理论分析 4.4离子注入理论分析 4.4离子注入理论分析 4.4离子注入理论分析 4.4离子注入理论分析 4.4离子注入理论分析 4.4离子注入理论分析 4.4离子注入理论分析 4.4离子注入理论分析 4.4离子注入理论分析 4.4离子注入理论分析 4.4离子注入理论分析 4.5其他 4.5其他 4.5其他 4.5其他 4.5其他 4.5其他 4.5其他 4.5其他 4.5其他 4.5其他 4.5其他 4.5其他 4.5其他 4.5其他 4.5其他 4.5其他 4.5其他 4.5其他 核阻止本领Sn(E1)的理论计算 设单位时间内垂直通过单位面积上的入射离子数为Ji，则单位时间内射到靶环2πpdp上被一个靶原子核散射到散射角为θ至θ+dθ之间的离子数应为： Ji 2πpdp= Ji dσn 设N为核散射中心的体密度，则在单位面积的靶片其厚度为dx的体元内有Ndx个核散射中心，它们把入射离子散射到θ+dθ内的离子数应为Ndx Ji dσn 因此，每个入射离子通过dx时被散射到角θ至θ+dθ之间的几率P为： P= Ndx dσn Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 若用E2n(E1,θ)表示能量为E1的入射离子被原子核以散射角θ散射时失去的能量，则入射离子通过dx时因为与原子核碰撞，平均每个离子失去的能量为 由此得出核阻止本领 式中 为对心碰撞时传输的最大能量。 核阻止本领Sn(E1)的理论计算 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 利用LSS理论中的 经过一定的运算，可以求得微分截面，从而求得Sn。如果取S=2，在这种情况下，在粗略而有用的一级近似中，通过运算可以得到与离子入射能量无关的标准核阻止本领： 核阻止本领Sn(E1)的理论计算 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 电子阻止 在LSS理论中，把固体中的电子看作自由电子气，那么电子的阻止就类似于粘滞气体的阻力。在常用注入离子能量范围内，电子阻止本领Se(E1)同入射离子的速度成正比，即和入射离子能量的平方根成正比。 K的大小和轰击粒子及靶材料有关。但对非晶态靶，K和轰击粒子的关系不大，近似