18602《模拟电子技术》单元后检测题解答.docVIP

第1单元 检测题 （共100分，120分钟） 一、填空题：（每空分，共分） N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 自由电子 ，少数载流子为 空穴 ，定域的杂质离子带 正 电。 2、双极型三极管 R×1k 档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的 阴 极；与黑表棒相接触的电极是二极管的 阳 极。检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被 击穿 ；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经 老化不通 。 单极型 7、晶闸管既有单向导电的 整流 作用，又有可以控制导通时间的作用。晶闸管二、P型半导体中，。 （ ） （ ） 用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K。 （ ） PN结正向偏置时，。 （ ） 。 （ ） （ ） 二极管工作在反向击穿区，一定会被击穿。 （ ） 管集电极电流大于它的最大允许电流ICM该管击穿。 （ ） （ √ ） （ ）三、选择题：（每小题2分，共20分） 单极型半导体器件是（ ）。 A、二极管； B、管； C、场效应管P型半导体是在本征半导体中加入微量的（ ）元素构成的。 A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。 稳压二极管的正常工作状态是（ ）。 A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、任意状态。 用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等1KΩ说明该二极管（ ）。 A、； B、完好状态； C、； D、。 PN结加正向电压时，其正向电流是（ ）。 A、多子扩散； B、少子扩散； C、少子漂移； D、多子漂移。 测得三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，三极管处（ ）。 A、放大区； B、饱和区； C、截止区； D、击穿区。 （ ）。U（BR）CEO。 10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（ B ） A、发射结正偏、集电结正偏； B、发射结反偏、集电结反偏； C、发射结正偏、集电结反偏； D、发射结反偏、集电结正偏。 四、题：（每小题分，共分） 答：这种说法是错误的。因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了电子，从而获得了N型半导体或P型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。 2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚12V、管脚3V、管脚3.7V，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。 答：齐纳击穿和雪崩击穿都属于电击穿，其过程可逆，只要控制使其不发生质变引起热击穿，一般就不会造成二极管的永久损坏。 4、图所示电路中，硅稳压管DZ1的稳定电压为8V，DZ2的稳定电压为6V，正向压降均为0.7V，求各电路的输出电压U0。只有导通和关断两种状态PNPN四层半导体结构，有阳极，阴极和门极三个极晶闸管加正向电压且门极有触发电流晶闸管仅在正向阳极电压时导通门极承受正向电压的情况下晶闸管导通，门极失去作用晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受电压，晶闸管都处于状态晶闸管在导通情况下主回路电压（或电流）减小到接近于零时，晶闸管关断。实际应用的晶闸管触发电路触发脉冲与主电路电压同步在晶闸管承受正半周电压内控极获得一个时刻相同正向触发脉冲否则由于每个正半周的控制角不同输出电压就会忽大忽小波动μA，IC=？ （2）IC=4mA，UCE=4V，ICB=？ （3）UCE=3V，IB由40~60μA时，β=？ 解：A区是饱和区，B区是放大区，C区是截止区。 （1）观察图6-25，对应IB=60μA、UCE=3V处，集电极电流IC约为3.5mA； （2）观察图6-25，对应IC=4mA、UCE=4V处，IB约小于80μA和大于70μA； （3）对应ΔIB=20μA、UCE=3V处，ΔIC≈1mA，所以β≈1000/20≈50。 2、已知NPN型三极管的输入—输出特性曲线如图1.46所示，当 （1）UBE=0.7V，UCE=6V，IC=？ （2）IB=50μA，UCE=5V，IC=？ （3）UCE=6V，UBE从0.7V变到0.75V时，求IB和IC的变化量，此时的（9分） 解：（1）由（a）曲线查得UBE=0.7V时，对应IB=30μA，由(b)曲线查得IC≈3.6mA； （2）由（b）曲线可查得此时IC≈5mA； （3）由输入特性曲线可知，UBE从0.7V变到0.75V的过程中，ΔIB≈30μA，由输出特性曲线可知，ΔIC≈