渤海大学物理系数字电子技术阶段检测题——6姓名学号题号一.doc

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渤海大学物理系数字电子技术阶段检测题——6姓名学号题号一

渤 海 大 学 物 理 系 数字电子技术阶段检测题——6 姓 名 学 号 题 号 一 二 三 总 分 得 分 单项选择题(本大题共20小题,每小题2分,共40分) 在各小题的四个备选答案中选择出一个正确的答案,并将正确答案前的字母填在题干后 的括号内。 1、可由用户以专用设备将信息写入,写入后还可以用专门方法(如紫外线照射)将原来内容擦除后再写入新内容的只读存储器称为 ( ) A、MROM B、PROM C、EPROM D、EEPROM 2、下列存储器中,存储的信息在断电后将消失,属于“易失性”存储器件的是 ( ) A、半导体ROM B、半导体RAM C、磁盘存储器 D、光盘存储器 3、动态RAM的基本存储电路,是利用MOS管栅—源极之间电容对电荷的暂存效应来实现信息存储的。为避免所存信息的丢失,必须定时给电容补充电荷,这一操作称为 ( ) A、刷新 B、再生 C、充电 D、放电 4、有10位地址和8位字长的存储器,其存储容量为 ( ) A、256×10位 B、512×8位 C、1024×10位 D、1024×8位 5、容量为2048×4位的RAM,其地址线和数据线的条数为 ( ) A、4,4 B、11,4 C、10,4 D、2048,4 6、容量为256×4位的RAM,每个给定一个地址码所选中的基本存储电路个数为 ( ) A、4个 B、8个 C、256个 D、2048个 7、容量为1024×4位的RAM,含有基本存储电路的数量为 ( ) A、1024个 B、4096个 C、4个 D、10个 8、某ROM有11条地址线和8条数据线,其存储容量为 ( ) A、2048×8位 B、112 ×8位 C、11×8位 D、2048×8 2位 9、具有对存储矩阵中的存储单元进行选择作用的是存储器中的 ( ) A、地址译码器 B、读写控制电路 C、存储矩阵 D、片选控制 10、随机存储器RAM的I∕O端口为输入端口时,应使 ( ) A、 B、 C、 D、 11、正常工作状态下,可以随时进行读、写操作的存储器是 ( ) A、EPROM B、PROM C、MROM D、RAM 12、随机存储器RAM在正常工作状态下,具有的功能是 ( ) A、只有读功能 B、只有写功能 C、既有读功能、又有写功能 D、无读写功能 13、只读存储器ROM,当电源断电后再通电时,所存储的内容 ( ) A、全部改变 B、全部为0 C、不确定 D、保持不变 14、随机存储器RAM,当电源断电后再通电时,所存储的内容 ( ) A、全部改变 B、全部为0 C、不确定 D、保持不变 15、下列器件中,可以实现组合逻辑函数的是 ( ) A、DRAM B、SRAM

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