第六章半导体分立器件-Read.ppt

4.3.5 二极管极性的识别测量 1.二极管极性的识别 根据标志识别 一般印有红色点一端为正极，印有白色点一端为负极。 2．根据正反电阻识别 把万用表拨到R×100Ω或R×1kΩ档，直接用万用表测量二极管的直流电阻，表上呈现阻值很小时，表示二极管处于正向连接，黑表笔所接为二极管正极（黑表笔与万用表内电池正极相连），而红表笔所接为二极管负极。如果表上显示阻值很大，则红表笔所接为二极管正极 ，黑表笔所接为二极管负极。若两次测量的阻值都很大或很小，则表明二极管已损坏。利用万用表测小功率二极管的直流电阻时，不能使用R×1Ω和R×10kΩ档，因为R×1Ω档电流很大，容易烧坏二极管，R×10kΩ档的电压较高，容易使二极管的PN结击穿。 3．根据结构识别 对于玻璃封装的点接触式二极管，可透过玻璃外壳观察其内部结构来区分极性，金属丝一端为正极，半导体晶片一端为负极。 + _ 2．普通二极管的测量 （1）好坏的判断 用万用表测量二极管时，将万用表置于R×100Ω或R×1kΩ档（对于面接触型的大电流整流管可用R×1Ω或R×10Ω档），黑表笔接二极管正极，红表笔接二极管负极，这时正向电阻的阻 值一般应在几十欧到几百欧之间，当红黑表笔对调后，反向电阻的阻值应在几百千欧以上,测量结果如符合上述情况，则可初步判定该二极管是好的。 （1）好坏的判断 如果测量结果阻值都很小，接近零欧姆时，说明被测二极管内部PN结击穿或已短路。如果阻值均很大，接近无穷大，则该管子内部已断路。 （2）硅管和锗管的判断 由于硅锗二极管的正向压降不同，硅管为0.5~0.7V，锗管为0.1~0.3V，故可根据正向导通时的压降进行判断。 用万用表测量二极管两端的管压降，如为0.5~0.7V，即为硅管，如为0.1~0.3V，即为锗管。 3．稳压二极管的测量 1) 普通稳压二极管的测量首先用万用表的低电阻档(R×以下)判断二极管的好坏，由于表内电池1.5V，不足以稳压二极管击穿，故使用低电阻档测量稳压管的正向电阻时，其阻值和普通二极管一样。 其次测量稳压管的稳压值，用万用表的高阻档， （2）三个管脚稳压二极管的测量 三个管脚稳压二极管（如ZDW7，2DW232等）是一种具有温度补偿特性的电压稳定性很高的稳压 二极管，它由一个正向硅稳压二极管（负温度系数）和一个反向硅稳压二极管（正温度系数）串接在一起，并封装在一个管壳内，其电压温度系数为0.005％/℃，常用在高精度的仪器和稳压电源中，如图所示。 8．势垒电容 势垒电容是由耗尽层引起的。耗尽层内只有不能移动的正负离子，相当于存储的电荷，耗尽层内缺少导电的载流子，电导率很低，相当于介质；耗尽层两侧的P区和N区电导率较高，相当于金属。当二极管加上正向电压时，耗尽层中的电荷量减少，耗尽层变窄，相当于放电；当二极管加上反向电压时，耗尽层中的电荷量增多，耗尽层变宽，相当于充电。这些现象都和电容器的作用类似，有时也称为势垒电容或阻挡层电容。 9．扩散电容 扩散电容是由于N区电子和P区空穴在相互扩散过程中积累所形成的。扩散电容和通过的电流成正比，当PN结正向导电时，它的数值较大；而当PN结反向截止时，扩散电容可以忽略。 4.3.3 特种半导体二极管 特种半导体二极管的种类很多，用途各异。主要有稳压二极管、快恢复二极管（FRD）、超快恢复二极管（SRD）、肖特极二极管（SBD）、变容二极管（VCD）、恒流二极管（CRD）、可调恒流二极管（VCRD）等。 1．稳压二极管 （1）稳压二极管的概念 稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性制成的。 （1）稳压二极管的概念 稳压二极管的外形同普通二极管一样，也有两个电极，正极和负极，其代表符号见图所示 （2）稳压二极管的伏安特性 稳压二极管的伏安特性曲线见图所示。 U UZ I A B （2）稳压二极管的伏安特性 由曲线可看出，它和普通二极管的正向特性一样，但反向特性稍有区别。当反向电压增加到UZ后，反向电流急剧增加。此后，只要反向电压稍有增加，反向电流就增加很多。但稳压二极管的击穿是可逆的，当去掉外加电压后，击穿即可恢复。 稳压二极管正常工作时，是在伏安特性的反向击穿区（即AB段）。利用这段电流在很大范围内变化，而电压基本恒定的特性来进行稳压。 （3）稳压二极管的主要参数 a．稳定电压UZ 稳定电压UZ是指稳压二极管反向击穿后的稳定工作电压值。 b．稳定电流IZ 稳定电流IZ是指工作电压等于稳定电压时的工作电流。 （4）稳压二极管的应用 a．基准电压源 所示，为利用稳压二极管提供基准电压源的电路。交流电压经过变压器降压，桥式整流电路整流和电容器滤波后，得到直流电压U0，再经过电阻R和稳压管DZ组成的稳压电路接到负载上，便可得到一个比较稳定的电压。 UL U0 RL DZ R C （4）稳压二极