MOCVD(有机金属化学气相沉积)的镀膜技术.docVIP

MOCVD(有機金屬化學氣相沉積)的鍍膜技術與製程、設備實務人才培訓班【主辦單位】：經濟部工業局 【執行單位】：財團法人工業技術研究院＆ 社團法人台灣光電與半導體設備產業協會 【課 程 表】TOSEA990507 (五) ( 05月日) 課程名稱及大綱 講師 09:30~12:30 1.LED的生產與製程、設備 2.用MOCVD法的技術 12:30~13:30 午餐 13:30~16:30 MOCVD的鍍膜原理與鍍膜膜質特性解析 MOCVD製程生產欠陷(Defect) 台灣愛思強股份有限公司AIXTRON Taiwan Co.)Senior Process Engineer Don Chang 16:30~16:45 隨堂測驗 TOSEA9905 (五) LED磊晶( 5月日) 課程名稱及大綱 講師 09:30~12:30 LED磊晶與關鍵製程技術 LED磊晶的最佳化技術 成功大學 光電工程與科學研究所 賴韋志 副教授12:30~13:30 午餐 13:3~16:30 MOCVD的鍍膜最佳化的關鍵技術 1.MOCVD的鍍膜原理與鍍膜膜質特性解析 2.MOCVD設備組件解析 3.MOCVD大面積的鍍膜技術 16:30~16:45 隨堂測驗 Dr. Don Chang 專長領域： 經歷： AIXTRON工程師，專注于CCS蓮蓬頭式氣體噴嘴技術時緯科技股份SWENC)集成工藝部工作 ASMAdvanced Semiconductor Material，矽半導體設備主要供應商PECVD(等離子增強化學氣相沉積工藝工程師清華大學化學工程碩士賴韋志 副教授域： 寬能隙III-nitride化合物半導體材料 III-nitride磊晶成長(MOVPE、HVPE)、元件結構設計及其特性分析 戶外顯示看板用之高亮度LED技術 照明及LCD面板背光用之白光LED技術 應用於顯示器之奈米尺度量子點光電元件 經歷：元砷光電科技(股)公司磊晶研發部經理 連威光電(股)公司研發部高級工程師 學歷：成大電機所博士【學員資格】：對有興趣之在職或待業人士皆可報名 【招生人數】：20名 【開班人數】：10名 【開課日期】：99年月日，總計2小時 【開課地點】：(新竹科學園區工業東二路1號) 【收費標準】：學員自付,000元／人，工業局補助,000元／人（以上費用含稅、講義、餐費） 【報名日期】：即日起【報名方式】：傳真：()2755-1243 或 電洽(0)2702-2086 鄭雅存小姐 E-mail： 【繳費方式】因現場座位有限，以先繳費者為優先，額滿為止1.支票或匯票─請開立99年月7日到期支票，“掛號”郵寄方式繳費並附報名表影本?支票或匯票抬頭─社團法人台灣光電與半導體設備產業協會（請寫全名）?郵寄地址─106台北市仁愛路四段68號6樓　 小姐收2.電匯或ATM轉帳後“傳真”匯款收執聯或ATM轉帳記錄並註明報名課程及人員?受款帳戶─社團法人台灣光電與半導體設備產業協會（請寫全名）?受款銀行─土地銀行工研院分行?受款帳號─156-001-00095-1?備　　註─請勿塗改轉出帳號，以利本會對帳核銷 【退費標準】：學員於開訓前退訓者，退還所繳訓練費用之七成；受訓未逾全期三分之一而退訓者，退還所繳訓練費用之半數；受訓逾全期三分之一而退訓者，不退費。 【注意事項】：1. 出席率達80%者，本課程培訓後將頒發培訓證書。 2. 執行單位保有更改課程內容與上課時間之權利。 經濟部工業局工業技術人才培訓計畫學員基本資料表 【註：*欄位為必填項目，敬請提供，謝謝！】 基 本 資 料 *中文 姓名 *身分證 字號 *出生 年 月 日 西元年 1 9 月 日 英文姓名 性 別 □男 □女 服務單位 服務 部門 職 稱 地 址 郵遞區號 □□□-□□ 產業別 (代號請參考下面備註欄位) 縣 鄉鎮 路 段 巷 號 市 區市 街 弄 樓 電 話 ( ) 分機 行動 電話 傳 真 ( ) E-mail 最高學歷 □ 高中職 □ 專科 □ 學士 □ 碩士 □ 博士 □ 其他 參 訓 背 景 1.請問貴公司或服務單位的員工人數大約有多少人？ (1) □ 10人以下 (2) □ 11～50人 (3) □ 51～100人 (4) □ 101～200人 (5) □ 201～500人 (6) □ 501～1000人 (7) □ 1001～2000人 (8) □ 2001人以上 2.您是否願意接收定期 培訓資訊 通知？ (1) □ 願意