华师大微电子复试真题.docVIP

（请同学注意：部分年份的为各位学长考完之后的回忆版，其余的是电子档完整原版，这些真题在市面上都是很少见的，通过真题你可以发现，试题难度不大，但是范围真的很广很广，涉及到半导体物理，半导体器件，集成电路原理，版图设计及语言，半导体工艺等等的，但是不要灰心，抓住重点（器件，集成电路），看书的时候不要求深究，会一般的方法及典型，加强记忆，所以请各位学弟学妹们好好利用，争取在复试的笔试中取得好成绩！） 2006年 1 半导体两侧的区域叫什么？ 2 非门有___型负载管和__型驱动管组成。 3 MOS与非门有___组成。 4 ECL电路为什么比TTL电路快？ 5 SOC全称 6 二极管的电容___和____ 7 MOS管的四种类型。 8 常用的两种硬件描述语言？ 9 双极型的工作模式？四种。 10 集成电路的两种设计途径？ 11 三种击穿机制？ 12pn结工作原理？ 13 MOS管子的工作原理和特性曲线？ 14 摩尔定律？ 15 对集成电路设计的看法？ 16画出非门的原理图。latch up效应是？ 17 功耗大的原因及解决方案。 2007年 1 SOC ，SOI是什么？ 2 摩尔定律？ 3 HEC相关问题 4 工艺发展对氧化层介质的要求，高k，低k问题。 5 晶体管用什么符号表示 6 电流平方率器件 7 功耗如何降低？ 8 三极管种类 ，mos管种类问题 9 对集成电路发展的认识 10 按比例缩小理论 11 硬件描述语言有哪几种？ 12 闭锁效应 2008年 题目比较简单，都是基本概念，大概是以下：MOSFET基本类型，影响阈值电压的因素，下拉电流，厄利电压，MOSFET的小信号模型，噪声容限，BJT饱和状态的特点，怎样提高BJT开关的速度，什么是大注入，为何在半导体工艺中要使用Low?K材料代替SiO2，用铜代替铝？ 说说你知道的纳米材料方面的新进展，使用High?K材料的好处，EDA，VLSI，MOSFET本征寄生电容的来源是什么，静态CMOS的重要特性，闩锁效应及其防止方法，画出与非门和或非门原理图，扇入扇出数的计算。口语的话就是先自我介绍下，然后就是翻译一篇关于微电子前言概述消息方面的文章，当场口译，我的那篇文章是关于wafer尺寸和芯片尺寸发展的趋势。 2011年复试真题 一、填空题 1、击穿除隧道击穿外，还有 和 ，且隧道击穿是属于 （正/负）温度系数 2、SOC是 3、影响MOSFET的主要结构参数是 ，且该值越小速度越 （快/慢） 4、影响硅基材料的外界因素有 和 ，迁移率的单位是 。 5、有一n型半导体和金属，且金属的功函数大于n型半导体，则电子流动方向为 。 二、简答题 1、双极型晶体管使用放大区的三个基本条件是什么？影响双极型晶体管的主要结构参数是什么？ 2、画出MOSFET的I-V工作曲线，并且虚线标出线性区，非线性区，饱和区。 3、热生长SiO2有什么应用，并用器件举例。 4、说明研究高K介电常数材料的前提和意义，并说明要突破什么问题。 5、画出{（AB+CD）E}’的晶体管级电路MOS口为四端原件。 6、CMOS电路功耗由什么组成，并降低功耗措施。 7、标准单元CMOS数字集成电路设计流程。 2012年复试真题 1、MOS或非门由-------组成？ 2、wire型变量后未指定（） 3、cmos反相器一般输入为vdd/2，pmos工作在饱和区，nmos工作在（） 4、硬件描述语言有哪些？ 5、verilog的初始化语句可以综合吗？ 6、nmos的沟道电阻是否是线性的？ 简答题： 1、晶面指数？cmos晶圆用什么指数的晶片？ 2、迁移率的单位？如何提高本征硅材料的迁移率？请说明理由 3、什么是厄尔利效应？提高厄尔利电压Va的方法。 4、cmos的功耗包括几个方面及原因。 5、标准单元电路设计,画出电路图。 {AB+(C+D)E}’ 2013年复试真题 单晶硅的结构是—— 迁移率的单位是——，电子和空穴的迁移率哪个大？ pn结正偏时在P端加——（填正或者负）压，低掺杂的pn结易发生-——击穿 SiO2中的可动电荷来自——，降低其电荷密度会使阈值电压Vt——（填减小或者增大） 按比例缩小理论中，使MOS得沟道长度缩短，则要求沟道掺杂——（填减小或者增大） 每代工艺的发展——(填需要或者不需要)重新设计工艺库。 DRC是指—— 在做LVS检查时，需要版图GDS文件，——文件和——文件 短沟道器件的Ids与Vgs的是——（填线性或者平方）关系 initial过程块是否可以被综合（填是或者否） 夹断点电压随着Vds的变化 硬件描述语言有——和—— CMOS反相器输入为VDD/2，NMOS工作在——状态 n型半导体与金