AVR内部EEPROM使用.docVIP

AVR單片機內部EEPROM詳解使用EEPROM倒是挺簡單的，無非是讀和寫操作，首先需要判斷是否在讀寫中，判斷讀寫忙標志，然後要保證讀寫時不能被打斷即要關中斷，接著要寫入到寫數據的地址，接著寫數據，再將地址和數據控制位置位下，數據就寫進了，最後別忘了開中斷。讀數據時，只要寫入地址，然後將讀控制位置位，再從寄存器EEDR中讀出數據即可。 ? ? ? 以上用法是簡單用法，當然這種用法不能用在實際工程應用中的，因爲寫數據需要8ms的時間，系統當然不允許一直等待這8ms的，在本文下面介紹了一種比較好的方式，來安排系統工作的時間。當然前提是要理解清楚最簡單的工作模式。 ? 一、簡單的工作模式 ? void EEPROM_write(unsigned int uiAddress,unsigned char ucData) { ?while(EECR(1EEWE)); ? ?//判斷讀寫忙標志 ? ?CLI(); ?EEAR = uiAddress; ? ? ?//寫入地址 ?EEDR = ucData; ? ? ? ? //送入數據 ?EECR |=(1EEMWE); ? ? //地址和寫控制位鎖存，即可 ?EECR |=(1EEWE); ? SEI(); } ? unsigned char EEPROM_read(unsigned int uiAddress) { ?while(EECR(1EEWE)); ? //判斷讀寫忙標志 ? ?CLI(); ?EEAR = uiAddress; ? ? ? //送入地址 ?EECR |=(1EERE); ? ? ? //讀位置位 ? ?SEI(); ?return EEDR; ? ? ? ? ? ?//返回數據 } ? 讀和寫的操作如下面所示 ? ? ? 讀寫數據時要從0x01開始 ，00地址有bug（數據手冊上講的） ? ?temp=EEPROM_read(0x01); ?EEPROM_write(0x01,temp); ? 二、提升篇-使用緩衝機構的操作 ? ? ? 思路是這樣的：首先建立讀寫緩衝區，把需要寫的數據放入到寫緩衝區中，由于在AVR單片機中，寫一個數據時比較慢的大概要8ms吧，這麽長的時間肯定不能一直while等下去，因此我們用中斷在處理，等單片機EEPROM程序寫好了就有ready中斷，這時就能讀\寫操作了，寫的時候從寫緩衝區中取出數據，寫的時候要注意不允許讀，經過一段時間後就完成了,而且我們發現寫的時候只是把數據送入到單片機中的一個寄存器中，至于EEPROM什麽時候來讀這個寄存器直至寫完，我們也沒有必要管他，因爲他操作好了會中斷告訴我們，從而這8ms還可以用來執行其它的程序了，就這樣直到所有的數據都寫完了。 ? #pragma interrupt_handler vIvEeReady:iv_EE_READY void vIvEeReady(void) { ? ? if(!fgEepromBufEmpty()) //緩衝區數據還沒完全寫到EPPROM中 ? ? { ? ? ?CLI(); ? ?//寫的時候不希望有別的中斷 ? ? ? ? EEAR = _sEepromBuf[_bEepromBufRdPtr].wAddress; ? ? ? ? EEDR = _sEepromBuf[_bEepromBufRdPtr].bVal; ? ?//數據寫入 ? ? ? ? EECR |= BIT(EEMWE); ? ? ? ? EECR |= BIT(EEWE); ? SEI(); ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?//寫好這個就打開，盡可能滿足實時性 ? _bEepromBufRdPtr++; ? ? ? //指向下一個緩衝數據 ? ? ? ? if(_bEepromBufRdPtr = EEPROM_WRITE_BUF_SIZE) //到了緩衝區頂了 ? ? ? ? { ? ? ? ? ? ? _bEepromBufRdPtr = 0; //從頭部開始計數 ? ? ? ? } ? ? ? ? _bEepromBufNs--; ? ? ? ? ?//當前還沒有寫入EEPROM的數 ? ? } ? ? else ? ? { ? ? ? ? EECR = ~BIT(EERIE); ? ? ?//都寫好了就把中斷關閉掉 ? ? } } ? ? uchar bWriteData2Eeprom(uint wAddress, uchar bVal) { ? ? if(fgEepromBufFull()) ? ? ? ? ? ? ? ? ? //是否達到緩衝定義的最大值 ? ? { ? ? ? ? return RET_BUSY; ? ? } ? ? ? CLI(); ? ? ? ? ? ?