1 第一章半导体器件.ppt

三、极限参数 1. 最大漏极电流IDM 2. 最大耗散功率PDM 3. 最大漏源电压U（BR）DS 4. 最大栅源电压U（BR）GS * * * * * * * * * * 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 为什么UCE增大曲线右移？ 对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。 为什么像PN结的伏安特性？ 为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了？ 1. 输入特性 iB=f(uBE)? uCE=常数 (2) 当uCE≥1V时， uCB= uCE - uBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的uBE下 IB减小，特性曲线右移。 (1) 当uCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 1. 输入特性 共射极接法 2. 输出特性 β是常数吗？什么是理想晶体管？什么情况下 ? 对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。 为什么uCE较小时iC随uCE变化很大？为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线？ 饱和区 放大区 截止区 晶体管的三个工作区域 晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流 iC几乎仅仅决定于输入回路的电流 iB，即可将输出回路等效为电流 iB 控制的电流源iC 。 状态 uBE iC uCE 截止 ＜Uth ICEO VCC 放大 ≥ Uth βiB ≥ uBE 饱和 ≥ Uth ＜βiB ≤ uBE 饱和区：iC明显受uCE控制的区域，该区域内，一般uCE＜0.7V (硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。 iC=f(uCE)? iB=常数 2. 输出特性 输出特性曲线的三个区域: 截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， uBE小于死区电压。 放大区：iC平行于uCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。 4、温度对晶体管特性的影响 (1) 温度对ICBO的影响 温度每升高10℃，ICBO约增加一倍。 (2) 温度对? 的影响 温度每升高1℃， ? 值约增大0.5%~1%。 (3) 温度对反向击穿电压U(BR)CBO、U(BR)CEO的影响 温度升高时，U(BR)CBO和U(BR)CEO都会有所提高。 2. 温度对BJT特性曲线的影响 4、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数 直流参数： 、 、ICBO、 ICEO c-e间击穿电压 最大集电极电流 最大集电极耗散功率，PCM＝iCuCE 安全工作区 交流参数：β、α、fT（使β＝1的信号频率） 极限参数：ICM、PCM、U（BR）CEO 1. 电流放大系数 与iC的关系曲线 2. 极间反向电流 (1) 集电极基极间反向饱和电流ICBO 发射极开路时，集电结的反向饱和电流。 2. 极间反向电流 基极开路 （OPEN) 3. 极限参数 讨论一 由图示特性求出PCM、ICM、U （BR）CEO 、β。 2.7 uCE=1V时的iC就是ICM U（BR）CEO §1.4 场效应管 一、结型效应管 二、MOS场效应管 三、场效应管的主要参数 一、场效应管（以N沟道为例） 场效应管有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d），对应于晶体管的e、b、c；有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。 1. 结型场效应管 符号 结构示意图 栅极 漏极 源极 导电沟道 单极型管∶噪声小、抗辐射能力强、低电压工作 栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用 沟道最宽 沟道变窄 沟道消失称为夹断 uGS可以控制导电沟道的宽度。为什么g-s必须加负电压？ UGS=UP 漏-源电压对漏极电流的影响 uGS＞UP且不变，VDD增大，iD增大。 预夹断 uGD＝UP VDD的增大，几乎全部用来克服沟道的电阻，iD几乎不变，进入恒流区，iD几乎仅仅决定于uGS。 场效应管工作在恒流区的条件是什么？ uGDUP uGDUP 场效应管工作在恒流区，因而uGS＞UP g-s电压控制d-s的等效电阻 输出特性 预夹断轨迹，uGD＝UP, 或 uDS=uGS-UP 可变电阻区 恒 流 区 iD几乎仅决定于uGS 击 穿 区 夹断区（截止区） 夹断电压 IDSS ΔiD 不同型号的管子UP、IDSS将不同。 低频跨导： 夹断电压 漏极饱和电流 转移特性 场效应管工作在恒流区，因而uGS＞UP 且uDSuGS-UP 。 uGDUP 根据FET输出特性作相应的转移特性 2. 绝缘栅型场效应管 uGS增大