1半导体、二极管和三极管(恢复).ppt

温度、光照、是否掺入杂质元素这三方面对半导体导电性能强弱影响很大。当半导体温度升高、光照加强、掺入杂质元素，其导电能力将大大增强。 半导体独特的导电性取决于其特殊的内部结构及导电机理。 （2）PN 结加反向电压（反向偏置） 1、常用的半导体材料有硅、锗等。本征半导体的特点是电导率低，具有热敏性、光敏性、掺杂性等。而且掺杂性对导电性能影响很大。 2、半导体的载流子有两种：自由电子和空穴，自由电子带负电，空穴带正电。 3、杂质半导体的特点是电导率高。 杂质半导体有两种类型：N型半导体的多子是自由电子，少子是空穴；P型半导体的多子是空穴，少子是自由电子。 4、多子的浓度与掺杂浓度有关，少子的浓度与温度等激发因素有关。 5、PN结具有单向导电性，它是构成各种半导体器件的基础。 1、二极管的特点是：单向导电性。 2、二极管的伏安特性是非线性关系。 3、二极管的参数主要包括：性能参数和极限参数。极限参数主要有：最高工作频率、最大允许反向工作电压、最大允许电流和额定耗散功率等。 1、二极管的应用主要是利用了二极管的单向导电性，是整流、检波、限幅、钳位等应用中的主要器件。 2、二极管的稳压作用。 小结 三极管（晶体管，BJT）是电流控制器件 三极管要实现放大作用，必须工作在放大区。 试题常见类型 三极管基础知识正确性的判断； 三极管工作状态的判断； 由管子的特性求解主要参数（例如给出一个输出特性曲线，求?值）。 例题 1，三极管在放大区时的集电极电流是由多子漂移形成的？（ ） 2，当三极管工作在放大区时，发射结电压为 偏置，集电结电压为 偏置。 3，测得放大电路中三只晶体管的直流电位如图示，分析他们的类型、管脚和所用的材料（硅或锗）。 三极管的不同封装形式 三极管的不同封装形式 (a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管 按频率分有高频管、低频管 按功率分有小、中、大功率管 按材料分有硅管、锗管 按结构分有NPN型和PNP型 (二）三极管的分类 按用途分有放大管、光电管、检波管、开关管 常见三极管的外形结构 三极管的外形结构 半导体器件的命名方式 第一部分 数字 字母 字母(汉拼) 数字 字母(汉拼) 电极数 材料和极性 器件类型 序号 规格号 2 — 二极管 3 — 三极管 第二部分 第三部分 A — 锗材料 N 型 B — 锗材料 P 型 C — 硅材料 N 型 D — 硅材料 P 型 A — 锗材料 PNP B — 锗材料 NPN C — 硅材料 PNP D — 硅材料 NPN P — 普通管 W — 稳压管 K — 开关管 Z — 整流管 U — 光电管 X — 低频小功率管 G — 高频小功率管 D — 低频大功率管 A — 高频大功率管 第四部分 第五部分 例： 3AX31 3DG12B 3DD6 PNP低频小功率锗三极管 NPN高频小功率硅三极管 NPN低频大功率硅三极管 3CG 3AD 3DK PNP高频小功率硅三极管 PNP低频大功率锗三极管 NPN硅开关三极管 ※ 以 NPN 型三极管为例讨论 三极管中的两个 PN 结 c N N P e b b e c 表面看 　　三极管若实现放大，必须从三极管内部结构和外部所加电源的极性来保证。 　不具备放大作用 二、电流放大作用 (二）三极管内部载流子的运动和分配过程 放大条件 （1）内部条件： N N P e b c N N N P P P ①发射区高掺杂； ②基区做得很薄。通常只有几微米到几十微米，而且掺杂较少； ③集电结面积大。 （2）外部条件： ①发射结必须加正向电压（正偏）； ②集电结必须加反向电压（反偏）。 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB b e c Rc Rb I E