《内部EEPROM读写实验》.PDF

《内部EEPROM读写实验》 目的：熟悉PIC16F87X内部EEPROM的读写方法项目； 实现的功能：对于地址为00H-3FH的64个EEPROM数据存储单元，分别将数 据0-63依次烧写进去，然后再循环读出，显示在8只LED发光二极管上。 进入该练习的流程如下: 1.创建源文件和编辑源文件;在此介绍一种不同于前面讲的创建源文件的方 法,用Windows附件中的”记事本”这个为大家所熟知和好用的文件编辑器,并 且可以方便的加入中文注释.不过有两点需要注意,一是注释前面的分号”;”必 须用西文半角输入;二是必须用”.asm”扩展名存储到事先建立的一个专用子目 录下. 2.打开MPLAB集成开发环境:首先在WINDOWS环境下,选用开始程序 Microchip MPLABMPLAB命令,启动MPLAB并进入MPLAB的桌面. 3.创建项目:选用菜单FileNew或ProjectNew Project,在事先建立的一个 专用子目录下创建一个新项目,将用记事本创建的源文件加入到该项目中. 4.建立项目中的目标文件:选择菜单Project Build All(项目建立所有文 件),MPLAB将自动调用MPASM将项目文件管理下的源文件(.asm)汇编成十六进制 的目标文件(.hex). 5.ICD参数设置:通过菜单命令ProjectEdit Project或者 OptionDevelopment Mode,将开发模式设置为“MPLAB ICD Debugger”,点击OK 按钮,打开ICD的工作窗口,在调试阶段,可以按照说明书图2-10设置各项,但需 注意OSCILLATOR应设置为XT方式,尤其需要说明的是，选中“Enable Debug Mode”（使能调试模式）选项，在向目标单片机烧写机器码程序时，会将调试临 控程序同时写入单片机的指定程序存储器区域，然后才允许用ICD方式调试。 6.电路设置:将演示板的S1全部拔到ON，S13全部拔到OFF。 7.向目标单片机烧写目标程序:用户在点击功能按钮”Program”向目标单片 机烧写机器码程序时,会等待一段时间，并且在条状的状态信息栏中，出现提示 信息。有一点需要引起注意，就是PIC16F87X单片机的FLASH程序存储器的擦写 周期是有限的，大约为1000次，应尽量节省它的使用寿命。 8.运行和调试用户程序和用户电路:在各项参数设置好后,将ICD的工作窗口 最小化,利用前面讲的”运行及调试”中介绍的几种方法进行调试.当用自动单 步方式调试时,建议临时禁止廷时子程序发挥作用,具体的方法是,可在CALL DELAY指令前添加一个分号,并且重新汇编一次.为了学习目的,在调试过程中可 以人为地加入一些软件漏洞(BUG)或硬件故障,来模仿单片机端口引脚的片内或 片外故障. 9.定型烧写目标单片机;经过多次重复上述步骤的反复修改和调试,使得程序 和电路在联机状态完全正常,这时可以进行定型烧写,即将ICD窗口中 的”Enable Debug Mode”(使能调试模式)选项消除,不再将调试临控程序写入单 片机中. 10.独立运行验收:上一步中的烧写过程完成后,即可将ICD模块和ICD仿真头 (或演示板)之间的6芯电缆断开,让单片机在演示板独立运行,观察实际效果. ;程序清单如下: ;************************************ STATUS EQU 3H ;定义状态寄存器地址 RP0 EQU 5H ;定义页选位RP0 的位地址 RP1 EQU 6H ;定义页选位RP1 的位地址 Z EQU 2H ;定义0状态位的位地址 PORTC EQU 7H ;定义RC口数据寄存器地址 TRISC EQU 87H ;定义RC口方向控制寄存器地址 EECON1 EQU 18CH ;定义写控制寄存器1的地址 EECON2 EQU 18DH ;定义写控制寄存器2的地址 EEDATA EQU 10CH ;定义读/写数据寄存器地址 EEADR EQU 10DH