SG2012D中文说明书V20.doc

高输出驱动轨对轨输入输出运算放大器 SG2012D 特征 ? 30mA输出驱动能力 ? 轨对轨输入和输出 ? 低功耗，每运放1.1mA工作电流 ? 2.5V到5.5V的工作电压范围 ? 10MHz增益带宽 ? 高回转率：10V/μs ? 100dB电压增益（RL=100kΩ） 应用 ? 在无线耳机应用中RF功放偏置控制 ? 便携式/电池供电设备音频应用 ? 便携式耳机扬声器驱动（32Ω） ? 音频无绳汽车电话 ? 便携式/笔记本电脑/TFT屏 ? 音频接口/声卡 ? 置顶盒 ? D/A转化缓冲器 ? 变换/线性驱动 ? 马达驱动 ? 音响及无线音响 概述 SG2012D是双通道，高输出驱动CMOS运放，在2.7V到5.5V单电源工作条件下，具有200mA的峰值驱动电流、轨对轨输入和输出能力。该放大器具有10V/μs的高回转率，和10MHz的增益带宽（GBWP）。SG2012D可以驱动典型的耳机级负载（32Ω），还可以在无线耳机应用中偏置RF功放（PA）。 框图 引脚分布 No. 符号 功能描述 I/O 1 OUT1 运放1输出 O 2 IN1- 运放1负端输入 I 3 IN1+ 运放1正端输入 I 4 VSS 地 G 5 IN2+ 运放2正端输入 I 6 IN2- 运放2负端输入 I 7 OUT2 运放2输出 O 8 VDD 电源 P 极限参数 (TA=25℃) 参数 符号 参数范围 单位 电源电压 VDD 6 V 其它引脚 (VSS-0.3V)~(VDD+0.3V) 功率消耗 PD 714 mW 工作温度 Topr -40～+125 ℃ 贮存温度 Tstg -65～+150 ℃ 直流电气特性(VDD = 2.7V, VSS = 0V, VCM = VDD/2, VOUT = (VDD/2), RL = ∞ connected to (VDD/2), ) （TA = +25°C, unless otherwise noted.) 符号 参数 测试条件 Min. Typ. Max. 单位 VDD Operating Supply Voltage Range 2.5 5.5 V VOS Input Offset Voltage 0.85 ±6 mV IB Input Bias Current VCM = VSS to VDD 50 pA IOS Input Offset Current VCM = VSS to VDD 50 pA RIN Input Resistance 1000 MΩ VCM Common-Mode Input Voltage Range VDD=2.7V to 5.5V VSS VDD V CMRR Common-Mode Rejection Ratio VSSVCM VDD 52 70 dB PSRR Power-Supply Rejection Ratio 73 85 dB AVOL Large-Signal Voltage Gain VSS+0.2VVOUT VDD-0.2V RL = 100kΩ 100 dB RL = 2kΩ 85 98 RL = 200Ω 74 80 VOUT1 Output Voltage Swing RL =32Ω VDD-VOH 400 500 mV VOL-VSS 360 500 RL = 200Ω VDD-VOH 80 120 VOL-VSS 70 120 RL = 2kΩ VDD-VOH 8 14 VOL-VSS 7 14 IOUT Output Source/Sink Current VDD=2.7V, VIN=±100mV 70 mA VDD=5.0V, VIN=±100mV 200 VOUT2 Output Voltage IL = 10mA VDD=2.7V VDD-VOH 128 200 mV VOL-VSS 112 175 IL = 30mA VDD=5V VDD-VOH 240 320 VOL-VSS 224 300 IDD Quiescent Supply Current (per Amplifier) VDD = 5.5V, VCM = VDD/2 1.2 2.3 mA VDD = 2.7V, VCM = VDD/2 1.1 2.0 直流电气特性 (VDD = 2.5V, VSS = 0V, VCM = VDD/2, VOUT = (VDD/2), RL = ∞ connected to (VDD/2), TA