GPP_制程简介.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 2nd Photo ( 二次黄光 ) 光阻玻璃涂布 软烤 对位曝光 显影 硬烤 将光阻玻璃以旋转涂布机均匀的涂布在晶片表面 将光阻内之有机溶液以约90℃烘烤，以增加后续对位曝光之解析度 将软烤完成之晶片以对位曝光机进行图形转移 将曝光完成之晶片以显影液将所需之图形显现出来 将显影完成之晶片送进130 ℃之烤箱烘烤，使光阻固化 PG Coating ( 光阻玻璃涂布 ) 光阻玻璃 ( PG )： 为光阻与玻璃粉以一定之比例调配而成之胶状溶液 玻璃涂布之方法与差异 项目 DB PG EP Doctor Blade Photo Glass Electronic Plating ---- 光阻玻璃 电泳法 设备投资 较低 较高 高 黄光制程 不需 需要 不需 晶片制程 较简单 较麻烦 最麻烦 晶片产量 高 低 最低 后段切割 不易 简单 简单 光阻玻璃涂布 N N+ P+ SIPOS SIPOS PG 二次黄光完成 N N+ P+ SIPOS SIPOS PG PG Burn Off ( 光阻烧除 ) 排晶片 光阻烧除炉 光阻烧除 出光阻烧除炉 收料 将晶片一片一片排入石英舟之构槽內，并规定好方向 将排好之石英舟送入光阻烧除炉 利用高温将光阻烧除，以减少后续玻璃烧结炉泡残留 将光阻烧除完成之晶片拉出光阻烧除炉 将材料收起来并准备进行玻璃烧结 排晶片 光阻烧除完成后出炉状况 灰色表示晶片 白色表示石英舟 Glass Firing ( 玻璃燒結 ) 排晶片 玻璃烧结炉 玻璃烧结 出玻璃烧结炉 收料 将光阻烧除完成之晶片排入石英舟之沟槽内，并规定好方向 将排好之石英舟送入光阻烧除炉 利用温度将玻璃进行融溶固化，以形成良好之绝缘层 将玻璃烧结完成之晶片拉出玻璃烧结炉 将材料收起来并准备进黄光室 灰色表示晶片 白色表示石英舟 玻璃烧结 N N+ P+ SIPOS SIPOS Glass LTO ( 低温氧化层沉积 ) LTO ( Low Temperature Oxidation ) 利用LPCVD於低温下在晶片表面沉积一层氧化层 Why LTO 因为玻璃粉之温度转换点特性之故 ( 依照不同之玻璃粉有不同之温度转换点，大约于 450~600℃ ) 低温氧化层沉积 N N+ P+ SIPOS SIPOS Glass SiO2 3rd Photo ( 三次黄光 ) HMDS烤箱烘烤 光阻涂布 软烤 对位曝光 显影 硬烤 将做完热氧化之晶片送进 HMDS 烤箱烘烤，确保无水分残留，并于晶片表面覆盖一层促进接著剂 将光阻以旋转涂布机均匀地涂布在晶片表面 将光阻内之有机溶液以约90℃烘烤，以增加后续对位曝光之解析度 将软烤完成之晶片以对位曝光机进行图形转移 将曝光完成之晶片以显影液将所需之图形显现出來 将显影完成之晶片送进130 ℃之烤箱烘烤，使光阻固化 三次黄光 N N+ P+ SIPOS SIPOS Glass SiO2 PR Contact Etch ( 接触面蚀刻 ) BOE浸泡 HF浸泡 纯水QDR冲洗 混合酸浸泡 纯水QDR冲洗 甩干机甩干 纯水QDR冲洗 利用 BOE 蚀刻晶片表面氧化层 利用高纯水( 12MΩ)快速冲洗晶片表面前站之残余物 利用高纯水( 12MΩ)快速沖洗晶片表面前站之残余物 利用混合酸去除SIPOS 利用甩干机将晶片表面之水分带离 利用 HF 蚀刻晶片表面氧化层 利用高纯水( 12MΩ)快速沖洗晶片表面前站之残余物 接触面蚀刻 N N+ P+ SIPOS Glass SiO2 PR PR Strip ( 光阻去除 ) 将接触面蚀刻完成之晶片送至光阻去除站，并准备进行光阻去除 利用硫酸将光阻剂去除干净 光阻去除 N N+ P+ SIPOS Glass SiO2 1st Ni Plating ( 一次镀镍 ) 于晶片表面以无电电镀之方式镀上一层镍，以形成後段封装所需之焊接面 一次镀镍 N N+ P+ SIPOS Glass SiO2 Ni Ni Sintering ( 镍烧结 ) 於一次镀镍完后会安排晶片进炉做烧结之动作 其主要目的为： 1.) 让镍与硅形成合金 2.) 增加焊接之拉力 镍烧结 N N+ P+ SIPOS Glass SiO2 Ni 2nd Ni Plating ( 二次镀镍 ) 镍烧结完后晶片表面一样会有多余之镍残留，通常都使用硝酸来去除 处理完之晶片会再镀上一层镍来提供焊接面 二次镀镍 – 泡完硝酸后 N N+ P+ SIPOS Glass SiO2 Ni 二次镀镍完成后 N N+ P+ SIPO