- 1、本文档共11页,可阅读全部内容。
- 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
LED复习资料课件
二——_LED.PPT
1、什么是半导体照明(固态照明),半导体照明是第几代照明光源,又是第几代电光源?
(1)用半导体材料制作白光LED称为固态照明。
(2)第四代 (3)第三代
LED产业的上游、中游和下游各做哪些工作?
(1)上游:材料生长、结构设计;(2)中游:芯片制备;(3)下游:封装。
什么是等电子中心(等电子陷阱)?什么的材料的发光是基于这种物理效应?
(1)等电子中心指半导体中的一种深能级杂质产生的一种特殊的束缚态,有时在禁带中可产生起陷阱作用的深能级,故又称为“等电子陷阱”。
(2)GaP系和GaAsP系是基于这种物理效应。
半导体材料能制作成发光芯片的要求和性能提升的原因是什么?
(1)要求:制作低缺陷的高质量薄膜;控制p型和n型的电子传导性;制作高效的发光结构。
(2)原因:材料生长的改进;掺杂的改进;结构的改进。(pn结--异质结--双异质结--量子阱)
5、目前, AlGaAs (填材料)适用于高亮度红光和红外LED。AlGaInP 适用于高亮度红、橙、黄及黄绿LED。 GaInN 适用于高亮度深绿、蓝、紫和紫外LED。
三_——LED.PPT
在半导体中电子分布须遵循哪些基本原则和规则?
(1)最低能量原理:先填充低能级轨道,使原子系统能量最低;
(2)泡利不相容原理:每个轨道最多容纳两个自旋相反的两个电子;
(3)洪德规则:能级简并的轨道上,电子尽可能自旋平行地分占不同的轨道;全填满、半填满和全空状态比较稳定。
直接带隙和间接带隙半导体有哪些区别?并分别给出一个实际的例子。
(1)直接带隙:(a)价带极大值和导带极小值都位于k空间的原点;(b)价带的电子跃迁到导带时,只要求能量的改变,而电子的准动量不发生变化,称为直接跃迁(c)直接跃迁对应的半导体材料称为直接禁带半导体。 例子:GaAs,GaN,ZnO
(2)间接带隙:(a)价带的极大值和导带的极小值不位于k空间的原点上;(b)价带的电子跃迁到导带时,不仅要求电子的能量要改变,电子的准动量也要改变,称为间接跃迁;(c)间接跃迁对应的半导体材料称为间接禁带半导体。 例子:Si,Ge
3、什么是直接跃迁和间接跃迁?他们有哪些区别?
(1)价电子跃迁到导带时只要求能量改变而准动量不变,称为直接跃迁;
价电子跃迁到导带时,能量和准动量同时发生变化,称为间接跃迁。
(2)区别:(a)间接跃迁准动量也发生变化;
(b)单纯的光跃迁过程是直接跃迁,效率高;
(c)间接跃迁必须有声子参与,使能量守恒,故发生概率要小的多。
4、电子和空穴在允带能级上的分布遵守费米—狄拉克分布。能量为E能级电子占据的几率为 。
1、白炽灯的发光效率是8~15 lm/ W左右,普通T-8卤素荧光灯光效可达40lm/ W,T-5高效荧光灯可以达到 80 lm/ W ,LED光效可达200lm/w。
2、电子和空穴复合可分为二类:一是伴随着光的辐射的复合,称为:辐射复合。一类是不伴随光的辐射,称为非辐射复合 。
3、两种发光的复合,一种发射的光是多方向的,称为自发辐射,一种发射的光方向一致,称为受激辐射。
4、电致发光的定义?
答:是某些物质受到外界电场作用而发光,也就是电能转化为光能的过程。
LED芯片的基本结构包含哪些功能层(用示意图表示),各功能层的具体作用是什么?
答:衬 底:支撑成长的单晶薄膜,厚度约300~500um;
掺 杂:掺入P(N)型材料,改变磊晶层中主要导电载流子空穴(电子)的浓度;
发光层:发光区,电子与空穴结合;
缓冲层:缓冲外延层与衬底之间因晶格差异造成的缺陷。(图p35_ppt)
用能带理论解释LED发光的基本原理。并给出相应的能带图。并说明LED的发光波长是由什么决定的,给出相应的数学表达式。
答:能带解释:半导体中的电子能态分为导带与价带,二者之间由禁带隔开。处于导带中的电子可自由移动,称为自由电子;处于价带中的电子称为价电子,不能移动。当价电子得到足够的能量离开价带时就形成称为空穴的电子空位,空穴可以在价带中移动,形成电荷量为+e。当半导体中导带电子密度大于价带空穴密度,称为n型半导体,反之为p型。N型与p型接触,形成p_n结。
当对p_n结施加正向偏压时,由于势垒高度降低,价带空穴由p区注入结取,导带电子由n区注入结区,二者复合发光。发光波长由禁带宽度决定。(p47_ppt)
什么是双异质结?画出相应的能带示意图,它对LED有什么影响?为什么?
答:由宽带隙的n型和p型半导体夹一层窄带隙半导体构造的,在激活区两侧两种半导体的交接
您可能关注的文档
最近下载
- 中医气功学导论期末试卷.docx
- 请你谈一下你为什么要加入中国共产党谈谈为什么加入中国共产党.pptx VIP
- 2024南方电网广西电网公司校园招聘公开引进高层次人才和急需紧缺人才笔试参考题库(共500题)答案详解版.docx
- DB37T19976—2011山东物业服务规范第1部分住宅物业.doc
- 七年级心理健康教案完整版.docx
- 赤泥综合利用项目可行性研究报告(完整案例).pdf
- 2024款比亚迪海豹06DM-i豪华型尊贵尊荣尊享旗舰_用户手册驾驶指南车主车辆说明书电子版.pdf
- 企业技术改造资金绩效评价总结报告.doc
- 《生物化学》全套教学课件(共13章完整版).pptx
- 15-彭向刚-学习领导科学提升领导力(清华)__(全国各校课件参考).ppt
文档评论(0)