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B 一、选择题 1、半径为R的“无限长”均匀带电圆柱的静电场中各点的电场强度的大小E与轴线的距离r的关系曲线为： (A) (B) (C) (D) C 2、如图所示，一封闭的导体球壳A内有两个导体B和C。 A、C所带净电量为零，B点正电，则A、B、C三导体的电势UA、UB、UC的大小关系是： (A) (B) (C) (D) 3、如图，一个电量为+q、质量为m的质点，以速度V沿X轴射入磁感强度为B的均匀磁场中，磁场方向垂直纸面向里，其范围从x=0延伸到无限远处，如果质点在x=0和y=0处进入磁场，则它将以速度-V从磁场中某一点出来，这点坐标是x=0和 B A 4、顺磁物质的磁导率： (A)比真空的磁导率略小。 (B)比真空的磁导率略大。 (C)远小于真空的磁导率。 (D)远大于真空的磁导率。 B 5、如图，导体棒AB在均匀磁场中绕通过C点的垂直于棒长且沿磁场方向的轴OO’转动，BC的长度为棒长的1/3，则： (A)A点比B点电势高。 (B)A点与B点电势相等。 (C)A点比B点电势低。 (D)有稳定的电流从A点流向B点。 C 6.如图,平行板电容器(忽略边缘效应)充电时,沿环路L1,L2磁场强度的环流中,必有: 7、某金属产生光电效应的红线波长为λ0，今以波长为λ(λ λ0)的单色光照射该金属，金属释放出的电子(质量为me）的动量大小为： E D A 8、电子显微镜中的电子从静止开始通过电势差为U的静电场加速后，其德布罗意波长为0.4埃，则U约为： (A)150V (B)330V (C)630V (D)940V 9、已知粒子在一维无限深势阱中运动,其波函数为: 那么粒子在x=5a/6处出现的概率密度为: C 10.下述说法中,正确的是: (A)本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电,而杂质半导体只有一种载流子参与导电,所以本征半导体导电性能比杂质半导体好. (B) n型半导体的性能优于p型半导体,因n型半导体是负电子导电,p型半导体是正离子导电. (C)n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去,大大提高了半导体导电性能. (D)p型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动. 垂直纸面向里 3、无限长直导线在P处弯成半径为R的圆，当通以电流I时，则在 圆心O点的磁感应强度大小等于 方向为 2、（5分）一平行板电容器，两极间充满各向同性均匀电介质，已知相对介电常数为εr，若极板上的自由电荷面密度为σ ，则介质中电位移的大小D= . 电场强度的大小 二、填空题 1、（5分）真空中有一均匀电点球面，球半径为R，总带电量为Q(0)，今在球面上挖去一很小面积dS（连同其上电荷），设其余部分的电荷仍均匀分布，则挖去以后球心处的电场强度为 球心处电势为（设无限远处电势为零） 。 H R r o B R r o R+d 4、（5分）一半径为R圆柱形导体，筒壁很薄，可视为无限长，通以电流I，筒外有一层厚为d，磁导率为μ的均匀顺磁性介质，介质外为真空，画出此磁场的H-r图及B-r图 1.5mH 22.6 J/m^3 (2),(3),(4),(5) 8、（3分）在下列给出的条件中，哪些是产生激光的条件，将其标号列下： . （1）自发辐射 （2）受激辐射 （3）粒子数反转 （4）三能级系统 （5）谐振腔 7、根据量子力学理论,氢原子中电子的动量矩在外磁场方向上的投影为 ,当角量子数l=2时,Lz的可能值为 . 6、一个中空的长直螺线管上每厘米饶有20匝导线，当通以电流I=3A时，管中磁场能量密度w= . 5、有两个线圈，自感系数分别为L1和L2。已知L1=3mH，L2=5mH，串联成一个线圈后测得自感系数L=11mH，则两线圈的互感系数M= . x p a o 2l dx x 2分 4分 4分 三、计算题： 1、电量q均匀分布在长为2l的细棒上，求杆的中垂线上与杆中心距离为a