Y5V COG,X7R,Y5V,X5R,NPO区别.pdf

Y5V COG,X7R,Y5V,X5R,NPO 区别 【电容的类别】 这个是按美国电工协会（EIA）标准，不同介质材料的MLCC按温度稳定性分 成三类：超稳定级（工类）的介质材料为COG或NPO；稳定级（II类）的介质材 料为X7R；能用级（Ⅲ）的介质材料Y5V。 X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其 容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化 而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。 X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化 是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。 COG,X7R,X5R,Y5V均是电容的材质，几种材料的温度系数和工作范围是依次 递减的，不同材质的频率特性也是不同的。 NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下 由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损 耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不 同来选用不同的电容器。 一 NPO 电容器 NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是 由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定 的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随 频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%， NPO(COG) 多层片式陶瓷电容器,它只是一种电容 COG（Chip On Glass）即芯片被直接邦定在玻璃上。这种安装方式可以大大 减小LCD模块的体积，且易于大批量生产，适用于消费类电子产品的LCD，如： 手机，PDA等便携式产品，这种安装方式，在IC生产商的推动下，将会是今后 IC与LCD的主要连接方式。 相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的 变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的 特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容 器可选取的容量范围。 NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。 二 X7R 电容器 X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量 变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变 化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。 X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可 以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表 给出了X7R电容器可选取的容量范围。 三 Z5U 电容器 Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范 围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷 单片电 容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工 作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。 尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电 阻（ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路 的应用中。下表给出了Z5U电容器的取值范围。 Z5U电容器的其他技术指标如下:工作温度范围 +10℃ +85℃ 温度特性 +22% -56% 介质损耗 最大4% 四 Y5V 电容器 Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30℃到85℃范围内其容量 变化可达+22%到-82%。 Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。 Y5V电容器的其他技术指标如下:工作温度范围 -30℃ +85℃ 温度特性 +22% 82% 介质损耗 最大5% 五，NPO(COG) 多层片式陶瓷电容器,它只是一种电容。 COG（Chip On Glass）即芯片被直接邦定在玻璃上。这种安装方式可以大大减小 LCD 模块的体积，且易于大批量生产，适用于消费类电子产品的 LCD，如：手机， PDA等便携式产品，这种安装方式，在IC生产商的推动下，将会是