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InP单晶要点
InP单晶生长与应用 汇报者：马玉珂 11/15/2016 主要内容 InP单晶基本属性 技术背景及应用 单晶生长方法 InP单晶基本属性 技术背景及应用 掺杂 电学性能 位错密度cm-2 器件应用 n型 非掺 n≤1*1016cm-3 5*104 源材料 Sn n=1~4*1018cm-3 ≤5*103 LD,LED 光电二极管 雪崩二极管 S n=4~20*1018cm-3 ≤5*102 p型 Zn p=4~6*1018cm-3 p=2~10*1018cm-3 ≤5*103 ≤1*105 太阳能电池 半绝缘 Fe 电阻率≥1*107Ω·cm n≤1*1016cm-3 ≤1*105 场效应晶体管 高电子迁移率晶体管 双极晶体管 技术背景及应用 接上页 单晶生长方法 液封直拉技术是用一种惰性液体(覆盖剂，通常是B2O3)覆盖被拉制材料的熔体；机械泵抽真空，一般能够达到的真空度为50～80Pa；在生长室内充入惰性气体，使其压力大于熔体的离解压力(27．5atm.)，以抑制熔体中挥发性组元的蒸发损失。 通常拉晶工艺条件如下 合成熔体温度：1335+20--80K；合成压力：40atm.； 坩埚转速：15r／m；籽晶转速：6r／m；生长速率：lO～12mm／h(111)；6～8mm／h(100)。 谢谢
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