mosfet负反馈放大电路(四).doc

MOSFET负反馈放大电路 1 设计主要内容及要求 1.1 设计目的 （1）掌握MOSFET负反馈放大电路的构成、原理、与设计方法； （2）熟悉模拟元件的选择、使用方法。 1.2 基本要求 空载放大增益10倍，带宽10kHz； 输入电阻，输出电阻； 两级以上放大环节。 1.3 发挥部分 带宽100kHz； 差分式放大输入级； 其他。 2 设计过程及论文的基本要求 2.1 设计过程的基本要求 （1）基本部分必须完成，发挥部分可任选2 个方向； （2）符合设计要求的报告一份，其中包括逻辑电路图，实际接线图各一份； （3）设计过程的资料、草稿要求保留并随设计报告一起上交；报告的电子档 需全班统一存盘上交。 2.2 课程设计论文的基本要求 （1）参照毕业设计论文规范打印，文字中的小图需打印。项目齐全、不许涂 改，不少于3000 字。图纸为A3，附录中的大图可以手绘，所有插图不允许复印。 （2）装订顺序：封面、任务书、成绩评审意见表、中文摘要、关键词、目录、 正文（设计题目、设计任务、设计思路、设计框图、各部分电路及参数计算（重 要）、工作过程分析、元器件清单、主要器件介绍）、小结、参考文献、附录（逻 辑电路图与实际接线图）。  摘 要 “MOSFET”Metai-Oxide Semiconductor。全名“金属-氧化物-半导体场效应管”信号MOSFET主要用于模拟电路的信号放大和阻抗变换。当MOSFET处于导通状态时，漏源极之间可以看做一个电阻，阻值通常是欧姆或者毫姆。该通态电阻是影响最大输出的重要参数，在开关电路中它决定了信号输出幅度与自身损耗。通态电阻会受到漏极电流、栅源极电压与温度的影响。在设计时，可参考RDS曲线。 虽然在MOSFET的规格书中会给出很多参数，但有五个参数是最重要的：首先要选择合适的封装；第二，要看击穿电压额定值（VDSS）；第三，选择适当通态电阻RDS(on)；第四，要看栅极电荷量QGD，它会影响开关速度；第五，要看栅极阀值电压VGS(TH)，它是刚刚开始形成导电沟道的栅、源极电压。 I 模拟电子技术 课程设计成绩评定表 III 摘 要 IV 1 设计任务描述 - 1 - 1.1 设计题目：MOSFET负反馈放大电路 - 1 - 1.2 设计要求 - 1 - 1.2.1 设计目的 - 1 - 1.2.2 基本要求 - 1 - 1.2.3 发挥部分 - 1 - 2 设计思路 - 2 - 3 设计方框图 - 3 - 4 各部分电路设计及参数计算 - 5 - 4.1 MOSFET共源极放大输入级 - 5 - 4.1.1 静态分析 - 5 - 4.1.2 动态分析 - 6 - 4.2 MOSFET共源极放大中间级 - 6 - 4.2.1 静态分析 - 6 - 4.2.2 动态分析 - 7 - 4.3 三极管共集电极放大输出级 - 8 - 4.3.1 静态分析 - 8 - 4.3.2 动态分析 - 9 - 4.4 带宽 - 10 - 4.4.1 高频响应 - 10 - 4.4.2 低频响应 - 11 - 5 工作过程分析 - 11 - 5.1 MOSFET共源极放大输入级 - 11 - 5.1.1 直流工作点分析 - 12 - 5.1.2 电压增益 - 12 - 5.2 三极管共射极放大中间级 - 14 - 5.2.1 直流工作点分析 - 14 - 5.2.2 电压增益 - 15 - 5.3 三极管共集电极放大输出级 - 16 - 5.3.1 直流工作点分析 - 16 - 5.3.2 电压增益 - 17 - 5.4 整个电路的实际电压增益 - 18 - 5.5 实际带宽 - 18 - 6 元器件清单 - 20 - 7 主要元器件介绍 - 20 - 7.1 MOS_3TEN_VIRTUAL - 21 - 7.2 ZTX601B - 21 - 小 结 - 22 - 致 谢 - 23 - 参考文献 - 23 - 附 录 A1 逻辑电路图 - 24 - 1 设计任务描述 1.1 设计题目：MOSFET负反馈放大电路 1.2 设计要求 1.2.1 设计目的 掌握MOSFET负反馈放大电路的构成、原理、与设计方法； （2）熟悉模拟元件的选择、使用方法。 1.2.2 基本要求 (1) 空载放大增益10倍，带宽10kHz； (2) 输入电阻，输出电阻； (3) 两级以上放大环节。 1.2.3 发挥部分 (1) 带宽100kHz； (2) 差分式放大输入级； (3) 其他。 2 设计思路 我的总体电路设计主要分为三级放大。 第一级采用共源级放大电路。因为根据题目要求得知输入级的输出电阻要大于1。而MOSFET的放大电路的特点是输入电阻的阻值非常高，放大增益也不错。故作为该放大电路的输入级很不错