SMTESD防护注意事项.ppt

Page 1 Prepare by Rio Chiang Media Tek Inc. Created by MF-QA Rio Chiang MediaTek’s copyright. DO NOT COPY with out permission ! QA Rio Chiang Mar. 22, 2002 E-Mail : rio_chiang@.tw 製程ESD / EOS 防護技術 1. EOS : 電壓過應力 (Electrical Over Stress) ESD : 靜電放電 (Electrostatic Discharge) 2. EOS / ESD 簡介： 2-1.電壓過應力(EOS)和靜電放電(ESD)是造成金屬氧 化 物半導體(CMOS)最普通的故障模式。 2-2.根據 VIA 2000年RMA 分析，所有電子系統故障 的 9% 是因EOS和ESD引起。 2-3.廠內及市場不良分析報告顯示EOS和ESD所導致 的 不良佔前三位 ( IC Product)。 2-4.由於IC外形，線寬等設計越來越薄，細，使IC 更易受EOS及ESD的破壞。 2-5. ESD會引起潛在的不良(如短路造成漏電流 100μA ) 而無法在工廠製程上發現，但在市場 上卻出現毀滅 性的不良。 Distribution of failure modes in silicon ESD 2% Good Devices 56% Design Test program Issue 2% EOS 7% Popcorn Failure 9% Customers Application Related Failure 24% Source : VIA RMA Analysis , 2000 3. EOS的起因： 3-1. 不正確的工作程序 a. 無標準工作程序 ( SOP)。 b. 零件方向錯誤。 c. 開機時，裝置移 離零件。 d. 基板裝配品，系統未完全連結就供電。 3-2. 無EOS管制設備，特別是在『雜訊』生產環境 : 故應具備 a. 電源穩壓器 b. 電源濾波器 ※ 在多台高電力設備同時運作下，交流電源線最易產生暫態火花。 3-3. 不適當地測試零件或基板 a. 快速切換開關。 b. 不正確的測試程序，如IC未加電壓之前便輸入信號。 c. 電壓力測試設計不當，致預燒(Burn-In)對敏感零件產生過應力。 3-4.使用不好的電源供應器 a. 特別是轉換式電源供應器，如設計不當會成為雜訊產生源。 b. 無過電壓(over voltage)保護線路。 c. 電源濾波不足。 d. 暫態抑制不足。 e. 保險絲選擇不當，未能提供適當的保護。 3-5. 無適當的設備保養和電源監測 a. 設備未接地 (注意:如 SMT/CLEANING/ICT設備…. )。 b. 接點鬆動引起斷續事故。 c. 電源線管理不當或未注意防止線材絕緣不良,造成漏電。 d. 未監測交流電源的暫態電壓或雜訊。 3-6. EOS 不良品分析圖片： Serious Burn out area by EOS a. EOS 嚴重燒毀之外觀不良 IC 圖片： VDD-5VSTB core (Metal 2) of VT82C586B was serious burned out Burn-out spot GND core (Metal 3) of VT82C586B was burned out b. EOS 嚴重燒毀之Chip F.A. 圖片(1)： c. EOS 嚴重燒毀之Chip F.A. 圖片(2) GND and VCC 3.3V of VT82C598MVP were serious burned out. 4. EOS的預防 4-1. 建立和裝置適當的工作程序。