具有 SPI 总线的256K 低功耗串行SRAM 22100D_cn.pdf

23A256/23K256 具有 SPI 总线的 256K 低功耗串行 SRAM 器件选择表 器件编号 VCC 范围 页大小 温度范围 封装 23K256 2.7-3.6V 32 字节 I， E P， SN， ST 23A256 1.5-1.95V 32 字节 I P， SN， ST 特性： 概述： • 时钟频率：20 MHz （最大值） Microchip Technology Inc.的23X256系列是256 Kb 的串 • 低功耗 CMOS 技术： 行 SRAM 器件。通过一个兼容串行外设接口（Serial - 读操作电流：3 mA @ 1 MHz Peripheral Interface， SPI ）的简易串行总线对存储器 进行访问。所需的总线信号为时钟输入（SCK ）线，以 - 待机电流：4 µA （最大值）@ +85°C 及独立的数据输入 （SI ）和数据输出（SO ）线。通过 • 32,768 x 8 位架构 片选 （CS ）输入信号控制对器件的访问。 • 页大小：32 字节 可通过保持引脚（HOLD）暂停与器件的通信。器件被 • HOLD 引脚 暂停后，除片选信号外的所有输入信号的变化都将被忽 • 灵活的操作模式： 略，以便主机响应优先级更高的中断。 - 字节读 / 写操作 23X256 采用8 引脚PDIP和SOIC 标准封装，以及8 引脚 - 页模式 （32 字节 / 页） TSSOP 高级封装。 - 连续模式 • 连续读 / 写 引脚图 （未按比例绘制） • 高可靠性 • 支持的温度范围： - 工业级 （I）： -40°C 至 +85°C - 汽车级 （E）： -40°C 至 +125°C • 符合 RoHS 标准的无铅封装，且不含卤素 PDIP/SOIC/TSSOP 引脚功能表 （P，SN，ST ） 名称 功能 CS 1 8 VCC CS 片选输入 SO 2 7 HOLD SO 串行数据输出 NC 3 6 SCK VSS 接地 SI 串行数据输入 VSS 4 5 SI SCK 串行时钟输入 HOLD 保持输入 VCC 供电电压  2009 Microchip Technology Inc. DS22100D_CN 第 1 页 23A256/23K256 1.0 电气特性 绝对最大值 (†) VCC 4.5V 所有输入和输出相对于 VSS 的电压 -0.3V 至