5.存储器.pptx

《微型计算机原理与接口技术》 第5版 第5章 存储器;本章主要内容：;§5.1 存储器分类;按地位和作用分类;其它分类方法： 按存储介质分类 半导体存储器、磁表面存储器、光学存储器等 按存储信息的可保存性分类 易失性存储器（Volatile Memory） 非易失性存储器（Non Volatile Memory ） 按在计算机中的作用分类 主存储器、辅助存储器、高速缓冲存储器;§5.1 存储器分类;5.1.1 内部存储器;1. RAM 随机存取存储器 Random Access Memory;2）DRAM（Dynamic RAM，动态RAM）;3）PSRAM（Pseudo SRAM，伪SRAM）;2. ROM只读存储器 Read-Only Memory;1）掩膜ROM Masked ROM;2）PROM，可编程ROM Programmable ROM;3）EPROM，可擦除可编程ROM Erasable Programmable ROM;4）EEPROM，电可擦除可编程ROM Electricity Erasable PROM;5）Flash Memory 闪速存储器;两类闪存:;闪存用途:;SD卡;6）新的非易失性存储器技术;§5.1 存储器分类;5.1.2 外部存储器;1．磁记录存储器;1）磁带（Magnetic Tape）;2）软盘（Floppy Disk）;8吋软盘 1971年 5 .25吋软盘 1976年 160、360KB 1.2MB等 3.5吋软盘 1984年 360、720KB 1.44、2.88MB ;3）硬盘（Hard Disk）;硬盘驱动器;4）磁盘阵列（Redundant Arrays of Inexpensive Disks，RAID）;2. 光学存储器;DVD盘;§5.1 存储器分类;5.1.3 存储器的性能指标;2. 存取速度;3. 功耗;4. 可靠性;5. 性价比;§5.2 随机存储器RAM --静态RAM（SRAM）;1.SRAM的存储原理; ;2. SRAM芯片6116容量2K×8bit，即2048字节，存取时间85～150ns;6116的主要引脚信号： 地址线：A0～A10 数据线：I/O0～I/O7 输出允许信号： 写允许信号： 选片信号：;§5.3 只读存储器（ROM） 5.3.1 可编程可擦除ROM（EPROM） 5.3.2 电可擦除可编程ROM（EEPROM） ;;存储原理;擦除：EPROM芯片上面有1个石英玻璃窗，当用一定波长的紫外线照射后，所有存储单元浮栅上的电荷会形成光电流泄放掉，使浮栅恢复初态1，因此读出的字节均为FFH。擦净的芯片可重新编程。 EPROM的显著优点是可多次编程，但不能在线编程。擦除和重写前，必须从电路板上拔下芯片，在波长为2537?的紫外线灯下照射20分钟，擦除后，再用EPROM编程器，重新写入新的程序或数据。 编程过程总是从头到尾，对1块芯片的全部单元进行重写，因此不能对芯片中的部分内容（哪怕1个字节）实现修改。 ;2. 27128 EPROM;图5.12是27128和其它Intel EPROM芯片的引脚图;2）27128的引脚信号;3）27128的工作方式;读出：VPP=+5V， =1，过程与SRAM类似， 当地址信息到达后，只要 =0和 =0，选中 单元的内容就会出现在数据线上。 编程：需用编程器,由编程软件实现。先置VPP = +12V， =1， =0, 然后加上地址信息和写入 要编程的字节，接着置 =0完成1字节写入。 ;校验：可用两种方法实现校验来核对写入内容。 方法一：与编程方式结合，每写入一个字节，马上读出，检查是否正确。见前面的编程时序图。 方法二：27128有单独的校验方式，因此也可在所有内容都编程完之后再进行校验。 编程：在内存中开辟16KB的27128映像区，与所有单元对应，存放要编程的程序和数据的16进制代码，并在不用位置放入代码FFH（即1111 1111），编程时只要将整个映像区复制进芯片。 校验：依次读出EPROM各字节，与映像区里待编程内容比较，实现校验。 编程好的EPROM芯片，要用不透光的贴纸或胶布封住石英窗口，以免受到来自阳光和电灯等光源的紫外线照射，致使内容受到破坏。;禁止输出。当 和 为高电平时，即使 =0，它也禁止输出。 禁止编程。VPP接+12V时，只要