化学干法刻蚀在TFT-LCD 工艺中的应用.pdf

下载文档

91
0
约8.67千字
约 3页
2017-05-26 发布于河南
举报
版权申诉
保障服务

化学干法刻蚀在TFT-LCD 工艺中的应用.pdf

1、本文档共3页，可阅读全部内容。
2、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

化学干法刻蚀在TFT-LCD 工艺中的应用

汪梅林，汪永安：化学干法刻蚀在TFT-LCD工艺中的应用总第期 70 文章编号：1006-6268（2006）11-0061-03 化学干法刻蚀在TFT-LCD 工艺中的应用 , , 12 12 汪梅林 ,汪永安 (中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春 ; 1. 130021 吉林北方彩晶数码电子有限公司长春 ) 2. , 130031 摘要:利用化学干法刻蚀各向同性的特点,本文主要研究化学干法刻蚀中不同的O/CF比例 2 4 对、和光刻胶刻蚀速率的影响。最后,选用合适的比例在阵列基板 MoSiNx O/CF TFT-LCD 2 4 上进行刻孔实验。关键词:化学干法刻蚀;刻蚀速率;坡度角;薄膜晶体管中图分类号: 文献标识码: TN141.9 B TheApplicationofCDEinTFT-LCDProcess 1.2 1.2 WANGMei-lin,WANGYong-an (1.ChangchunInstituteofOptics,FineMechanicsandPhysics,ChineseAcademyofScien- ; ces,JilinChangChun130021,China2.JilinBeifangCaijingDigitalElectronicsCo.,Ltd, JilinChangChun130031,China) Abstract:ByusingisotropiccharacteristicsofCDE,thearticlemainlystudiestheinfluence ofdifferentO/CFratioonetchingrateofMo,SiNxandphotoresist.Finally,experim- 2 4 entationofetchingholewasmakenonTFTsubstratesbyselectingsuitableO/CFratio. 2 4 Keywords:CDE;etchingrate;profile;TFT 1 引言但由于两个孔刻蚀膜层的膜质和膜厚不一样，所以刻蚀工艺复杂，且易在钝化层（p-SiNx）和绝缘层