101年公务人员特种考试警察人员考试.PDF

101年公務人員特種考試警察人員考試、 101年公務人員特種考試一般警察人員考試及 代號 ：71280 全一頁 101年特種考試交通事業鐵路人員考試試題 等 別： 高員三級鐵路人員考試 類 科： 電子工程 科 目： 半導體工程 考試時間： 2 小時 座號： ※注意：可以使用電子計算器。 不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。 14 -3 14 -3 一、理想矽pn二極體，p區摻雜濃度 Na = 8×10 cm ，n區摻雜濃度 Nd = 4×10 cm ，矽之介 電係數 ϵ = 11.7 ϵ ，其中ϵ = 8.85×10-14 F/cm ，在p區之空乏區寬度為 W ，在n區之空乏 si o o p 10 -3 區寬度為 W ，常溫下 1 kT/q = 0.0259 V ，矽之本質載子濃度為n = 1.5×10 cm 。 n i 請求出 W /W = ？（10 分） p n 在反偏壓V = 3V之空乏區總寬度為W(3V) ，在V = 2V之空乏區總寬度為W(2V) ，請 R R 求出W(3V)/ W(2V) = ？（10 分） + 二、一個n pn雙極性接面電晶體，當射極開路（ emitter open ）時於集基極間之反偏漏流 為I = 100 nA ，在順向作用區（forward active ）時之電流公式為I =α I + I ，其 CBO C E CBO 中 α=0.99 。 現將射極接負電位，集極接正電位，基極開路（ base open ），請求出集射極間之 漏流 ICEO = ？（6 分） 繪出在射極接負電位，集極接正電位， 基極開路之偏壓下，少數載子濃度於射極 p (x) 、基極n (x) 、集極p (x)之分布曲線示意圖。（7 分） E B C 在順向作用區時基極電流 I含有那些電流分量？請說明各別分量之成因與流向。 B （7 分） 三、在金屬氧化層/ /p型矽（ MOS ）元件中，已知氧化層SiO厚度為 5 nm ，其介電係數ϵ 2 = 3.9 ϵ ，其中ϵ = 8.85×10-14 F/cm ，矽之介電係數ϵ = 11.7 ϵ ，當加上負偏壓使 SiO2 o o si o 該元件處於聚集區（ accumulation region ），氧化