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封面 一、绝缘栅型场效应管的构造:动画演示 耗尽型N沟道MOSFET的构造示意图 二、绝缘栅型场效应管的工作原理 1.栅源电压vGS对MOSFET的影响。 动画演示 vGS 0分析过程 三、N沟道耗尽型MOSFET的输出和转移特性曲线 场效应管的特点 四、场效应管使用注意事项 * 返回 黄山北海猴子观海 引言 结型场效应管JFET的直流输入电阻虽然一般可达106 ~ 109?，由于这个电阻从本质上来说是PN结的反向电阻, PN结反向偏置时总会一些反向电流存在,这就限制了输入电阻的时一步提高。  MOSFET称作金属-氧化物-半导体场效应管,又称作绝缘栅型场效管。绝缘栅型场效应管是利用半导体表面的电场效应进行工作的，所以也称为表面场效应管。由于它的栅极处于不导电（绝缘）状态，所以输入电阻可大提高，最高可达1015Ω。 本页完 引言 返回 学习要点 本 节 学 习 要 点 和 要 求 MOSFET(MOS场效管)的结构 MOSFET的工作原理 MOSFET的转移和输出特性曲线 返回 单击此有MOSFET结构动画演示 绝缘栅型场效应管(MOSFET) 本页完 一、绝缘栅型场效应管的构造(以N沟道耗尽型为例) d g s 衬 N沟道耗尽型MOSFET管 P型硅基片 二氧化硅绝缘层 N+ N+ 高掺杂的N区 铝层电极引脚 s g d 衬底 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 感应出很多负电荷,形成N沟道 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - N沟道 在绝缘层中掺入大量的正离子 绝缘栅型场效应管(MOSFET) 一、绝缘栅型场效应管的构造(以N沟道耗尽型为例) 本页完 绝缘栅型场效应管的N沟道与结型场效应管相似,是导电沟道。 绝缘栅型场效应管(MOSFET) 二、绝缘栅型场效应管的工作原理 本页完 1.栅源电压uGS对MOSFET的影响。 单击此演示栅源电压uGS对MOSFET的影响 P型硅基片 N+ N+ s g d + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - N沟道 uGS =0 uDS 由于有N 沟道存在,N沟道内有大量的自由电子 , 即使uGS =0时, 只要有uDS , 就能形成漏源电流 iD。 iD 绝缘栅型场效应管(MOSFET) 二、绝缘栅型场效应管的工作原理 1.栅源电压uGS对MOSFET的影响。 本页完 vGS 0分析过程 P型硅基片 N+ N+ s g d + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - N沟道 uGS 0 iD 原电场 uGS的电场 绝缘栅型场效应管(MOSFET) 二、绝缘栅型场效应管的工作原理 1.栅源电压uGS对MOSFET的影响。 当在 gs极上加上负偏压时,即uGS 0 : uGS所产生的电场方向和二氧化硅与 N 沟道间的电场方向相反，削弱了原电场，致使电荷减少,N沟道减薄，电阻增大,漏源电流iD 减小。 本页完 vGS 0分析过程 P型硅基片 N+ N+ s g d + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + iD - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - N沟道 绝缘栅型场效应管(MOSFET) 二、绝缘栅型场效应管的工作原理 1.栅源电压uGS对MOSFET的影响。 uGS 0 当在 gs极上加上负偏压时,即uGS 0 : uGS所产生的电场方向和二氧化硅与 N 沟道间的电场方向相反，削弱了原电场，致使电荷减少,N沟道减薄，电阻增大,漏源电流iD 减小。 vGS 0分析过程 P型硅基片 N+ N+ s g d + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + iD - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + +