HOMSEMI可靠性试验解析-苏州吉远电子科技有限公司.PDF

     廣州成啟半導體有限公司      HOMSEMI Guangzhou Chengqi Semiconductor Co.,LTD  HOMSEMI 可靠性试验解析  可靠性试验并不只是一两个测试，而是由多个测试针对产品各个方面的测试。下面就对 HOMSEMI 的可靠性试样 做解析； 高温寿命试验（High temperature life test） 高温反偏/正偏 HTRB/HTFB（High Temperature Reverse Bias/High Temperature Forward Bias ） （参照 JESD22-A108A） 测试设备：高温反偏/栅偏测试机 高温反偏/正偏测试目的：检测封装过程中漏极是否有水气带来的 NA 和 CL 离子污染，以及装配过程中是否有 隐患。 测试原理：MOSFET 在高温下加上反向/正向偏压是一种严酷的工作方式，由于高温下漏电流增加，在温度和电 场的作用下，塑封体内污染或者装配不良就会带来漏电流增大或者失效。测试原理图如下： HTRB 试验条件以及判定标准：Ta(环境温度)=Tj （结温）=150 度.VR（反向电压）=50%~80%BVDSS,IDSS （漏电流）≤2 倍规格书规范，选取 77pcs,168 个小时。 高温栅偏 HTHB（High Temperature Gate Bias）（参照 JESD22-A108A） 高温栅偏测试目的：检测封装过程中栅极部位是否有水气带来的 NA 和CL 离子污染，以及装配过程中是否有隐 患。 高温栅偏 HTGB 测试原理：MOSFET 在高温下漏源极短路接地，栅极对源极加偏压，测试栅极氧化层对于温度电 压的可靠性。测试原理图如下： 合作伙伴：苏州吉远电子科技有限公司 苏州工业园区嘉瑞巷8号乐嘉大厦1215室  Tel: 0512   Fax：0512      廣州成啟半導體有限公司      HOMSEMI Guangzhou Chengqi Semiconductor Co.,LTD  HTGB 试验条件以及判定标准：Ta(环境温度)=Tj （结温）=150 度.VR （反向电压）=Vgs,IGSS （栅漏电流） ≤2 倍规格书规范，选取 77pcs,168 个小时。 这两个测试项目使用的测试平台是一样的，只是测试卡不一样而已。N型 MOSFET 需要做高温反偏，P 型MOSFET 需要做高温正偏，N 型和 P 型都需要做高温栅偏测试。 环境试验（Environmental Tests） 一、 温度循环(Temperature Cycling)(参照 JESD22-A104) 测试仪器：恒温恒湿试验箱、干燥箱、JUNO DTS-1000 测试系统 测试目的：考量产品塑封体与框架结合情况 测试原理：通过器件从二个不同温度的储存箱中交替存放一个很短的时间，考验器件对温度循环的承受能力， 也可以考核器件内部不同材料热膨胀系数的匹配情况。 试验条件和方法：最高温度 150℃，储存时间 30 分钟，常温储存时间 15 分钟，最低温度-40℃，储存时间 30 分钟，常温至高温至常温至低温至常温为一个循环，循环 1000 次，抽样数量为 22PCS. 合作伙伴：苏州吉远电子科技有限公司 苏州工业园区嘉瑞巷8号乐嘉大厦1215室  Tel: 0512   Fax：0512      廣州成啟半導體有限公司      HOMSEMI Guangzhou Chengqi Semiconductor Co.,LTD