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HOMSEMI可靠性试验解析-苏州吉远电子科技有限公司
廣州成啟半導體有限公司
HOMSEMI Guangzhou Chengqi Semiconductor Co.,LTD
HOMSEMI 可靠性试验解析
可靠性试验并不只是一两个测试,而是由多个测试针对产品各个方面的测试。下面就对 HOMSEMI 的可靠性试样
做解析;
高温寿命试验(High temperature life test)
高温反偏/正偏 HTRB/HTFB(High Temperature Reverse Bias/High Temperature Forward Bias )
(参照 JESD22-A108A)
测试设备:高温反偏/栅偏测试机
高温反偏/正偏测试目的:检测封装过程中漏极是否有水气带来的 NA 和 CL 离子污染,以及装配过程中是否有
隐患。
测试原理:MOSFET 在高温下加上反向/正向偏压是一种严酷的工作方式,由于高温下漏电流增加,在温度和电
场的作用下,塑封体内污染或者装配不良就会带来漏电流增大或者失效。测试原理图如下:
HTRB 试验条件以及判定标准:Ta(环境温度)=Tj (结温)=150 度.VR(反向电压)=50%~80%BVDSS,IDSS
(漏电流)≤2 倍规格书规范,选取 77pcs,168 个小时。
高温栅偏 HTHB(High Temperature Gate Bias)(参照 JESD22-A108A)
高温栅偏测试目的:检测封装过程中栅极部位是否有水气带来的 NA 和CL 离子污染,以及装配过程中是否有隐
患。
高温栅偏 HTGB 测试原理:MOSFET 在高温下漏源极短路接地,栅极对源极加偏压,测试栅极氧化层对于温度电
压的可靠性。测试原理图如下:
合作伙伴:苏州吉远电子科技有限公司 苏州工业园区嘉瑞巷8号乐嘉大厦1215室
Tel: 0512 Fax:0512
廣州成啟半導體有限公司
HOMSEMI Guangzhou Chengqi Semiconductor Co.,LTD
HTGB 试验条件以及判定标准:Ta(环境温度)=Tj (结温)=150 度.VR (反向电压)=Vgs,IGSS (栅漏电流)
≤2 倍规格书规范,选取 77pcs,168 个小时。
这两个测试项目使用的测试平台是一样的,只是测试卡不一样而已。N型 MOSFET 需要做高温反偏,P 型MOSFET
需要做高温正偏,N 型和 P 型都需要做高温栅偏测试。
环境试验(Environmental Tests)
一、 温度循环(Temperature Cycling)(参照 JESD22-A104)
测试仪器:恒温恒湿试验箱、干燥箱、JUNO DTS-1000 测试系统
测试目的:考量产品塑封体与框架结合情况
测试原理:通过器件从二个不同温度的储存箱中交替存放一个很短的时间,考验器件对温度循环的承受能力,
也可以考核器件内部不同材料热膨胀系数的匹配情况。
试验条件和方法:最高温度 150℃,储存时间 30 分钟,常温储存时间 15 分钟,最低温度-40℃,储存时间 30
分钟,常温至高温至常温至低温至常温为一个循环,循环 1000 次,抽样数量为 22PCS.
合作伙伴:苏州吉远电子科技有限公司 苏州工业园区嘉瑞巷8号乐嘉大厦1215室
Tel: 0512 Fax:0512
廣州成啟半導體有限公司
HOMSEMI Guangzhou Chengqi Semiconductor Co.,LTD
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