MOCVD生长的GaN和GaNMg薄膜的拉曼散射.PDF

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2017-05-26 发布于天津
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MOCVD生长的GaN和GaNMg薄膜的拉曼散射

26 2 V ol26 N o2 2005 4 CH INESE JOURNAL OF LUM INESCENCE A pr. , 2005 : 1000-70 32 2005) 02-0229-04 MOCVD生长的GaN和 GaNM g薄膜的拉曼散射 1 1 2 2 王瑞敏 , 陈光德 , L IN J Y , JIANG H X 1. , 7 10049; 2. D ep artm ent of Phy s ics, K an sas S ta te Universi ty, M anha ttan, K an sas 66506, USA ) : MO CV D ) A l O G aN 2 3 M g p G aN 640, 660 cm- 1, - 1 - 1 640 cm L ) , 660 cm M g G aN M g M g - 1 M g 276, 376 cm M g G aN , M g - E2 : ; ; : O 433; O 472; O 765 PACC: 6855; 7155; 7830 : A 1 引言 2实验方法 GaN GaN M g p GaN MOCV D) A l O , 2 3 , , 20 nm GaN , , GaN p GaN M g 5 1019 cm- 3, 1 m J-Y RAMANOR- + U 1000 , A r 514. 5 GaN , nm , 400 mW, , 100, Z (X -) Z , , GaN [ 1] , 3结果与讨论 ,