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MOSFET基分布式放大器的研究进展-电子器件
第 32 卷 第 3 期 电 子 器 件 Vol . 32 N o . 3
2009 年 6 月 Chinese J our nal Of Elect r on Devices J un . 2009
Progress on Research of the MOSFETBased Distributed Ampl if ier
L I X ue , Z H A O M eng , H A N B o , GA O J i anj un
( )
S chool of I nf orm at ion S cience an d Technology , E as t Chi na N orm al Uni vers ity , S hang hai 20024 1 , Chi na
Abstract :A de sign of t he MO SF E Tba sed di st ribut ed amp lifier s ha s been sp ecifically p re sent ed . The de sign
of gain cell s , t he imp rovement of mat ching net wor k an d lownoi se charact eri stic s are st udied , on t he ba sic
of w hich t he re search of t he MO SF E Tba sed di st ribut ed amp lifier s and t he p ro sp ect of t he t ren d in t he near
f ut ure are int ro duced .
Key words :Di st ribut ed A mp lifier ;MO SF E T ;CMO S ; GaA s F E T
EEACC :2570D ;1220
MOSFET 基分布式放大器的研究进展
李 雪 ,赵 萌 ,韩 波 ,高建军
(华东师范大学信息科学技术学院 ,上海 20024 1)
( )
摘 要 :对于一种基于金属氧化物半导体场效应晶体管 MO SF E T 的分布式放大器的设计原理做了较为详细的阐述 。从增
益单元的设计 、匹配网络和低噪声特性的改进三个不同的方面 ,介绍了 MO SF E T 基分布式放大器的研究进展并展望了 MO S
F E T 基分布式放大器的发展趋势 。
关键词 :分布式放大器 ;金属氧化物场效应晶体管 ;互补金属氧化物场效应晶体管 ;砷化镓金属半导体场效应晶
中图分类号 :TN72 文献标识码 :A 文章编号 2009)
随着微电子与微波通信技术的迅猛发展 , 国内 于当时工艺技术的限制导致了 MO SF E T 器件的速
外对射频集成电路性能的要求越来越高 。分布式放 度慢 、噪声大 、寄生电容大 、跨导小 ,因而在过去的高
( ) 速电路设计中很少采用 MO SF E T 器件 。随着射频
大器 Di st ribut ed amp lifier 以其在极宽的频带范围
内具有
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