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pMOSFET中栅控产生电流的衬底偏压影响研究
第32卷 第 1期 Vol. 32, No. 1
20 12年2 月 RESEARCH PRO GRESS O F SSE Feb. , 2012
pMOSFET
陈海峰 过立新 杜慧敏
( , , 710 12 1)
2011-08-03, 2011-09-21
: pMOSFE T( GD)。 , GD;
, 。 ,
GD VB MOSFE T
0. 3。 V PN,。
B
,。
: ;;;
p
: TN386. 1 : A : 1000-3819( 20 12) 0 1-00 10-04
-
Eff ect of Substrate Bias on the Gate controlled Generation
’
Current in the pMOSFET s
C HEN H ifeng GUO Lixin DU Huimin
( , ’ , ’ , 710121, )
School of Electronic Engineering X i an University of Posts and Telecommunications X i an CHN
Abstract: The effect of substr te bi s on the g ted-diode gener tion ( GD) current h s been
. GD, P B .
studied The pe k of GD current curve I decre ses s the substr te bi s V becomes neg tive
, GD, P B . B
How ever I incre ses s V becomes positive This scribes th t V modul tes the m ximum
B
gener tion r te of GD current. The f ctor of V influencing on GD current is
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