二极体与稽纳二极体.doc

= = = = = = = = = 自我評量 = = = = = = = = = 一、是非題 ( ○)電子伏特是能量的單位，leV=l.6 ×10-19焦耳。 ( ×)若將五價雜質摻入純矽(或鍺)中，就形成P型材料。 ( ×)PN接合面所形成的空乏區中含有自由電子及電洞。 ( ○)PN二極體接面所形成的障壁電勢，其極性是P端負，N端正。 ( ×)過渡電容CT隨逆向偏壓之增大而增大，成正比關係。 ( ○)二極體的好壞可以用三用電表來測量，即順向偏壓時成低阻抗，逆 向偏壓時成高阻抗。 ( ○)當稽納二極體之摻雜濃度增加時，稽納電位將隨之降低。 ( ×)稽納二極體在正常工作時，通常接上順向偏壓。 ( ○)變容二極體之電容量將隨逆向偏壓之增大而減少。 ( ×)LED的發光度與順向電流成反比關係。 二、選擇題 ( C )當P型及N型材料相接觸時，即會產生一空乏層，而P型半導體之空乏層內應有 (A)電洞 (B)電子 (C)負離子 (D)正離子。 ( B )將硼(B)元素摻進純矽晶體內，則成為 (A)N型 (B)P型 (C)I型 (D)J型 材料。 ( C )障壁電勢乃是其區域內有 (A)電子 (B)電洞 (C)正離子及負離子 (D)正負電壓。 ( C )一般的砂質PN二極體導通時，兩端的電位差約為 (A)1.2伏特(B)0.9伏特 (C)0.6伏特 ( D )0.2伏特。 ( C )在P型半導體中，傳導電流的載子主要是 (A)電子 (B)離子 (C)電洞 (D)質子。 ( B )二極體接逆向偏壓時，空乏區寬度 (A)不變 (B)變大 (C)變小 (D)不一定。 ( D )整塊N型半導體是呈現 (A)負電性 (B)視雜質原子序數而定 (C)正電性 (D)電中性。 ( D )稽納二極體通常是工作於 (A)順向電壓(B)零電壓(C)逆向低電壓 (D)逆向崩潰電壓。 ( D )稽納二極體常應用於 (A)放大 (B)濾波 (C)整流 (D)穩壓 電路。 ( C )LED所發出光的顏色與 (A)外加電壓有關 (B)電流大小有關 (C)二極體的材料合成成分有關 (D)以上皆是。 = = = = =習 題 = = = = = 什麼叫做自由電子?電洞? 何謂N型半導體? 何謂P型半導體? 有一個二極體在室溫時的交流電阻為5Ω，則此時流經二極體的直流電流為多少mA? ( 5.2 mA ) 在室溫時，二極體電流為6.5mA，則其交流順向電阻為多少歐姆? ( 4 Ω ) 某矽二極體在溫度20℃時之逆向飽和電流為5mA 若溫度上升至50℃時，則逆向飽和電流變為多少? ( 40 mA ) 如圖中之二極體為矽二極體，伏特計之讀值應為少伏特? ( 0.7V ) 純矽半導體本質濃度Ni=1.5 ×l010原子/cm3，其密度為5 ×1022原子/cm3 ，若每108個矽原子加入一個硼原子，則將成為何種類型半導體?又電子濃度為多少? ( P型半導體，4.5 ×105電子/cm3 ) 稽納二極體通常工作於何種偏壓?應用於何種電路? ( 逆向崩潰電壓，應用於穩壓電路 ) 如圖Q所示電路 (1)當Vi =20V時，Vo等於多少伏特?(2)當Vi =12V時，Vo等於多少伏特? (3)如果將圖中的稽納二極體反接，則Vo為多少伏特? ( 10 V ，8V，0.7V ) 圖(3)所示電路中，欲使IZ=6mA，則R值應為若干? ( 2.5KΩ) 如圖(4)所示之電路，Vz=10V，電流範圍為l0mA ~ 50mA，則RL在哪一範圍內，可使工作電壓不致發生變化? ( 0.11 KΩ ~0.2 KΩ) 何種二極體具有負電阻特性?它通常應用在何種電路中? ( 透納二極體，振盪器與微波放大器) 光電二極體工作時接何種偏壓?其逆向電流與何者直接成正比關係? ( 逆向偏壓，輸入光功率) 發光二極體 (1)工作時接何種偏壓? (2)其發光度與何者成正比? (3)是何者決定發射光的光譜分布? ( 順向偏壓，順向電流，由使用的材料) = = = = = = = = = 課外補充題 = = = = = = = = = 2-1 PN接面 一、是非題 ( ○)N型半導體是本質半導體加上五價的元素磷、砷。 ( ×)在本質半導體內摻入三價雜質即可成為N型半導體。 ( ×)P型半導體係本質半導體摻入五價元素。 ( ×)本質半導體內，自由電子數多於電洞數。 ( ×)半導體當溫度上升時，其導電性增加，是屬於正溫度電阻係數。 ( ○)本質半導體(矽、鍺)的價電子是4個。 ( ×)施體為三價元素。 ( ×)一般金屬的電阻溫度係數為負，約為-0.4%/℃。 ( ○)PN接合之P端接負電壓，N端接正電壓，謂之為逆向偏壓。 ( ○)在絕對零度時，物體內之各電子所帶有的最高能量稱為弗米階EF。 二、選擇題 ( C )在矽晶體