GaAs简单介绍.pptx

GaAs半导体材料简单介绍;零维纳米材料：类似于点状结构，立体空间的三个方向均在纳米尺度，如纳米微粒，原子团簇等。 一维纳米材料：类似于现状结构，立体空间的三个方向有两个方向在纳米尺度，如纳米线、纳米棒、纳米管等。 二维纳米材料：类似于面状结构，立体空间的三个方向有一个方向在纳米尺度，如纳米薄膜、纳米多层膜、超晶格薄膜等。 ;3;二维超晶格、量子阱材料：载流子在二个方向（如在x ,y 平面内） 上可以自由运动,而在另外一个方向（z）则受到约束。 一维量子线材料：载流子仅在一个方向可以自由运动,而在另外两个方向则受到约束。 零维量子点材料：载流子在三个方向上运动都要受到约束的材料系统，即电子在三个维度上的能量都是量子化的。;超晶格材料是两种不同组元以几个纳米到几十个纳米的薄层交替生长并保持严格周期性的多层膜，事实上就是特定形式的层状精细复合材料。;量子阱、量子线、量子点图示;量子线：在凝聚态物理中,量子线指导电性质受到量子效应影响的导线.由于传导电子在切向上受到量子束缚,切向能量呈现量子化 量子点：是准零维(quasi-zero-dimensional)的纳米材料，由少量的原子所构成。粗略地说，量子点三个维度的尺寸都在100纳米(nm)以下，外观恰似一极小的点状物 量子阱：量子阱（QW）是指由2种不同的半导体材料相间排列形成的、具有明显量子限制效应的电子或空穴的势阱。;砷化镓(Gallium Arsenide）:简称GaAs，是镓和砷两种元素所合成的化合物，也是重要的要的IIIA族、VA族化合物半导体材料，用来制作微波集成电路、红外线二极管、半导体激光器和太阳电池等原件。 优点：GaAs与硅不同，它是直接带隙材料，具有电子饱和漂移速度高，耐高温，抗辐照等特点；在超高速、超高频、低功耗、低噪音器件和电路，特别在光电子器件和光电集成方面占有独特的优势。