锑化铟磁电阻1.docx

【实验数据处理】表一R=300Ω=30mv时数据记录表U/mv33.233.333.433.933.23434.534.9B/mt010203040506070ΔR/00.0030120.00602400240960.0391570.051205U/mv35.335.736.339.342.84648.249.8B/mt8090100150200250300350ΔR/0.0632530.0753010.0933730.1837350.2891570.3855420.4518070.551.252.553.955.156.357.558.659.860.24004505005506006507007507700.5421690.5813250.6234940.6596390.6957830.7319280.765060.8012050.813253表二 R=300Ω=60mv时数据记录表U/mv66.166.266.564.864.567.868.669.4B/mt010203040506070ΔR/00.0015110.006042-0.01964-0.024170.025680.0377640.049849U/mv70.271.272.278.285.191.59699.2B/mt8090100150200250300350ΔR/0.0619340.0770390.0921450.1827790.2870090.3836860.4516620.5102104.8107.4109.8112.2114.6116.9119.4120.44004505005506006507007507700.5422960.5845920.6238670.6601210.6963750.7326280.7673720.8051360.820242表三 R=300Ω=90mv时数据记录表U/mv98.698.79996.697.3100.9102.1103.3B/mt00.10.4-2-1.32.33.54.7ΔR/00.0010140.004057-0.02028-0.013180.0233260.0354970.047667U/mv104.6106107.5116.5126.7136.2142.8147.5B/mt67.48.917.928.137.644.248.9ΔR/0.0608510.075050.0902630.181540.2849870.3813350.4482710.495938151.7155.9159.7163.3166.8170.3173.9177.6179.153.157.361.164.768.271.775.37980.50.5385340.581130.6196690.656180.6916770.7271730.7636840.8012090.8164221.=30mv时，==mA=0.1mA==Ω=332Ω2.=60mv时，==mA=0.2mA==Ω=330.5Ω3.=90mv时，==mA=0.3mA==Ω=328.7ΩΔR/计算值如表格中所示图一R=300Ω=30mv曲线段拟合方程：Y = 0.00244－1.18571×＋1.11214直线段拟合方程：Y=0.13737+ 9.2159图二R=300Ω=60mv曲线段拟合方程：Y = -0.60123＋0.02198×－1.8883直线段拟合方程：Y=0.24313+ 7.51979图三R=300Ω=90mv曲线段拟合方程：Y = 0.00703－0.00156×＋3.40445直线段拟合方程：Y=0.13214+ 9.27151【实验分析】通过图线可知，在三组实验中直线段拟合后图线的变化规律是相同的，但是曲线段拟合后图线的变化规律是不同的，初始电压为30mv和90mv时曲线方程中的二次项都是正的而60mv时的是负的，变化趋势不同，原因可能是实验的测量过程中存在误差，由于在曲线段磁场强度比较小，电阻的变化不明显也不规律。【思考题】什么叫做磁阻效应？霍尔传感器为何具有磁阻效应？一定条件下，导电材料的电阻值R随磁感应强度B的变化规律成为磁电阻效应。当半导体处于磁场中时，导体或半导体的载流子受到洛伦兹力的作用，发生偏转，在两端产生集聚电荷并产生霍尔电场。如果霍尔电场的作用和某一速度的载流子的洛伦兹力作用刚好抵消，那么小于或大于该速度的载流子出现横向磁阻效应。锑化铟磁阻传感器在弱磁场和强磁场中时的电阻值和磁感应强度关系有什么区别？锑化铟磁阻处于较弱磁场时，一般磁阻传感器电阻相对变化率ΔR/正比于磁感应强度;而在强磁场中，ΔR/与磁感应强度B呈线性函数关系。什么叫做磁电阻的倍频效应？它的产生条件是什么？如果半导体材料磁阻传感器处于角频率为ω的弱正