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多晶硅工艺中英文对照表 硅烷(SiH4)：Silane 二氧化硅(SiO2) ：Silica 一氯三氢硅(SiH3Cl)：Monochlorosilane 二氯二氢硅(SiH2Cl2)：Dichlorosilane(DCS) 三氯氢硅(SiHCl3)：Trichlorosilane(TCS) 四氯化硅(SiCl4)：Silicon Tetrachloride(STC) 冶金级硅：Metallurgical-Grade Silicon(MG-Si) 多晶硅：Polycrystalline Silicon(Polysilicon) 单晶硅：Single Crystal(Crystal) 硅树脂：Silicone 硅油：Silicon Oil 载气：Carrier Gas 粉末二氧化硅 ：Fumed Silica 光纤：Fiber optil 外延层：Epitaxial Layer 非晶(无定形)层：Amorphous Layer 多晶层：Polysilicon Layer 化学汽相沉积工艺：Chemical-vapor-deposition processes 棒状、块状多晶硅：Rod、Chunk Polysilicon 少数载流子寿命：Minority Carrir life-time 晶格：Crystallographic Lattice 施主杂质：Dopant impurity 受主杂质：Accept impurity 氧：Oxygen 碳：Carbon 重金属：Heavy metals 蒸汽压：Vapor Pressure 密度：Density 热容：Heat Capacity 自由能：Free Energy 标准焓：Standart Enthalpy 标准熵：Standart Entropy 表面张力：Surface Tension 粘度：Viscosity 热导率：Thermal Conductivity 转换效率：Conversion Efficiency 沉积速率：Deposition Rate 催化剂：Catalytic agent 偶联剂：Coupling agent 表压（磅/平方英吋）Psig：（pounds per square inch gauge） 蒸发：Evaporate 溶解：Dissolve 浓缩、凝缩：Condensation 浓度、浓缩：Concentration 吸收：Absorb 吸附：Adsoption 蒸馏：Dislillation 置换：Replacement 捕获、收集：Capture 分解：Decompose 分裂：Dissociation 污染：Contaminate 腐蚀性：Corrosive 汽态吸收：Gaseous Absorption 全闭路循环：Fully Closed-loop 水解反应：Hydrolysis Reaction 氢气中TCS的分子比率：Mole ration of TCS in H2 着火：Ignition 发烟：Smoke 起火：Fire 燃烧：Burn 爆炸：Explosion 活性碳柱：Activated Carbon Column 薄雾淋洗塔：Falling film tower 流化床反应炉(FBR)：Fluidied Bed Reactor 石英钟罩反应炉：Quartz bell jar reactor 金属钟罩反应炉：Metal bell jar reactor 氯硅烷主要反应式： SiO2+2C→Si+2CO (由石英石制备工业硅) Si+3HCl→SiHCl3+H2 (沸腾氯化制取三氯氢硅) 3SiCl4+2H2+Si+Cu催化剂→4SiHCl3(~800℃ 3Mpa 约37%的转化率) (四氯化硅氢化生成三氯氢硅) SiHCl3+H2→Si+3HCl(~1375K) (三氯氢硅氢还原制备多晶硅) SiHCl3+HCl→SiCl4+H2 3 SiHCl3→Si+2 SiCl4+HCl+ H2 2 SiHCl3→SiH2Cl2+ SiCl4 2 SiH2Cl2→SiH3Cl+ SiHCl3 硅烷（ SiH4 ）的四种制备方法 1、由四氯化硅与氢化鋰反应 4LiH+ SiCl4→SiH4+4LiCl 2、由硅镁合金与氯化氨反应 Mg2Si+4NH4Cl→SiH4+2MgCl+4NH3 3、由一氯三氢硅分解 2 SiH3Cl→SiH4+ SiH2Cl2 4、Ethyl公司早期开发的硅烷制备工艺： 它是用过磷酸钙肥料工业的副产品（a by-product from the superphosphate fertilizer industry）氟硅酸（H2SiF6）作原料，主要的反应式为： H2SiF6 +H2SO4→SiF4+2HF