- 1、本文档共73页,可阅读全部内容。
- 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
不规则排列课案
第三节 原子的不规则排列 一、点缺陷 4. 位错运动 位错滑移特征比较 5. 位错的力学性质 1)位错应力场与应变能 (3)位错应变能 7. 实际晶体中的位错 三、面缺陷 (3)混合位错的滑移 一定角度 // 法线 一定角度 混合位错 无限多个 // // 法线 // 螺位错 唯一 垂直 // 法线 垂直 刃位错 滑移面 个数 位错线运动方向 τ与 位错线 τ 与 b b与 位错线 类型 2)攀移 (1)方式 原子扩散离开(到)位错线—半原子面缩短(伸长)—正(负)攀移 空位扩散离开(到)位错线—半原子面伸长(缩短)—负(正)攀移 (2)特点 a) 刃位错垂直于滑移面运动——非守恒运动 b) 属扩散过程——需热激活——高温易出现 (3)作用 原滑移面上运动受阻—攀移—新滑移面—滑移继续 攀移只能是刃位错才能发生 说明:攀移不是塑性变形的主要机制—可避开障碍物—便于滑移 结论:攀移能力——影响滑移进行——进一步影响塑变能力 3)交滑移 (1)方式 (2)特点 (3)作用 原滑移面上运动受阻—交滑移—新滑移面—滑移继续 交滑移只能是螺位错才能发生 说明:交滑移不是塑变的主要机制—可避开障碍物—便于滑移 结论:交滑移能力——影响滑移进行——进一步影响塑变能力 交滑移——仍在滑移面滑移——守恒运动 (1)应力分量与应变分量 完全弹性体,服从虎克定律 各向同性 连续介质,可以用连续函数表示 基本假设 (连续介质模型) 对位错线周围r0以内部分不适用 ——畸变严重,不符合上述基本假设 (a)单元体应力分量 正应力:σxx,σyy,σzz 切应力:σxy = σyx, σxz = σzx, σyz = σzy σxy——作用面垂直于x,方向为y x y z ?z z ?z y ?z x ?x z ?x x ?x y ?y z ?y x ?y y (b)单元体应变分量 正应变:εxx,εyy,εzz 切应变:εxy = εyx,εxz = εzx (c)柱坐标下分量 正应力:σzz,σrr,σθθ 切应力:σzθ=σθz,σzr=σrz,σrθ=σθr 与直角坐标的关系: (2)位错应力场 (a)螺位错应力场 模型建立: 结果: 厚壁圆桶——沿径向切开——沿z方向错动b —— 胶合 (b)刃位错应力场 模型建立: 结果: 厚壁圆桶——沿径向切开——沿x轴错动|b|——胶合 单位长度螺位错应变能: 单位长度刃位错应变能: 单位长度混合位错应变能: 其中: (a)比较 wE wS (b)一般公式 其中:α为几何因素系数,约0.5~1.0 (d)螺位错应变能公式的推导 柱坐标下单位体积应变能为: 对于螺位错仅有εθz不为零 故,对体积为V(长为L)的螺位错有 即: 积分 得: 2)作用在位错线上的力与位错线张力 (1)作用在位错线上的力 (a)公式推导 外力τ使长为l的位错移动了ds, τ作功dw1 假想有一力F作用于位错上,则F 作功dw2 有 单位长度位错线上的力: (b)说明 Fd∝τ,Fd∝b Fd⊥位错线,指向未滑移区 Fd为假象力,其方向与τ不一定一致。(如螺位错Fd⊥τ) (2)位错线张力 位错受力 弯曲 伸长 线张力 位错变直 能量↓ 能量↑ (a)线张力的概念 (b)作用 使位错变直——降低位错能量 相当于物质弹性——称之为位错弹性性质 类似于液体的表面张力。 (c)公式 C ——曲线形状因子 (d)实例—— 两端固定位错在τ下弯曲的问题 τ使位错弯曲,即r↓ T使位错变直,即r↑ 当二者平衡时 3)位错间的交互作用与位错塞积 (1)相互平行的位错之间的交互作用 同号位错相斥 体系能量下降 (a)同号位错: 异号位错相吸 (b)异号位错: 体系能量下降 异号位错合并,抵消或 b 减小 (2)相互垂直的位错之间的交互作用 —— 形成大小、方向等于对方 b 的割阶或扭折 割阶:不在原滑移面上的拐折。 扭折:在原滑移面上的拐折,不稳定,易消失,不影响滑移。 —— 位错交割 (3)位错塞积——位错与面缺陷的交互作用 位错滑移 障碍物 位错塞积 前端应力高度集中 交滑移、攀移 越过障碍物继续滑移 应力松弛 破裂 障碍物另侧塑变 遇到 产生 导致 结果 弯曲 卷曲 分裂增殖 变直 弗兰克-瑞德源(F-R源) …… 增殖过程 6. 位错的增殖 1)全位错与不全位错 (1)实际晶体中的位错类型 简单立方: b≡点阵矢量 ——只有全位错 实际晶体: b = 点阵矢量 b=点阵矢量整数倍 —— 全位错 其中b=点阵矢量 ——单位位错 b≠点阵矢量整数倍 ——不全位错 其
文档评论(0)