电子元器件地封装.doc

电子元器件的封装 1.电阻原理图中常用的名称为RES1-RES4；引脚封装形式： AXIAL系列 从AXIAL-0.3到AXIAL-1.0，后缀数字代表两焊盘的间距，单位为Kmil. 2.电容原理图中常用的名称为CAP（无极性电容）、ELECTRO（有极性电容） 引脚封装形式：无极性电容为RAD-0.1到RAD-0.4，有极性电容为RB.2/.4到RB.5/1.0 3.电位器原理图中常用的名称为POT1和POT2； 引脚封装形式：VR-1到VR-5 4.二极管原理图中常用的名称为DIODE（普通二极管）、DIODE SCHOTTKY（肖特基二极管）DIDE TUNNEL（隧道二极管）DIODE VARCTOR（变容二极管）ZENER1~3（稳压二极管） 引脚封装形式：DIODE0.4和DIODE 0.7; 5.三极管原理图中常用的名称为NPN，NPN1和PNP，PNP1； 引脚封装形式TO18、TO92A（普通三极管）TO220H（大功率三极管）TO3（大功率达林顿管） 7.场效应管原理图中常用的名称为JFET N（N沟道结型场效应管），JFET P（P沟道结型场效应管）MOSFET N（N沟道增强型管）MOSFET P（P沟道增强型管）引脚封装形式与三极管同。 8.整流桥原理图中常用的名称为BRIDGE1和BRIDGE2， 引脚封装形式为D系列，如D-44，D-37，D-46等。 9.单排多针插座原理图中常用的名称为CON系列，从CON1到CON60， 引脚封装形式为SIP系列，从SIP-2到SIP-20。 10.双列直插元件原理图中常用的名称为根据功能的不同而不同，引脚封装形式DIP系列 11.串并口类原理图中常用的名称为DB系列，引脚封装形式为DB和MD 电阻 AXIAL 无极性电容 RAD 电解电容 RB- 电位器 VR 二极管 DIODE 三极管 TO V;w 电源稳压块78和79系列 TO－126H和TO-126V 场效应管 和三极管一样 整流桥 D－44 D－37 D－46单排多针插座 CON SIP 双列直插元件 DIP 晶振 XTAL1 电阻：RES1，RES2，RES3，RES4；封装属性为axial系列 无极性电容：cap;封装属性为RAD-0.1到rad-0.4 电解电容：electroi;封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0 电位器：pot1,pot2；封装属性为vr-1到vr-5 二极管：封装属性为diode-0.4(小功率）diode-0.7(大功率） 三极管：常见的封装属性为to-18（普通三极管）to-22(大功率三极管）to-3(大功率达林顿管） B7N!?B T*i0 电源稳压块有78和79系列；78系列如7805，7812，7820等 79系列有7905，7912，7920等常见的封装属性有to126h和to126v 整流桥：BRIDGE1,BRIDGE2: 封装属性为D系列（D-44，D-37，D-46） 电阻：　AXIAL0.3-AXIAL0.7　　其中0.4-0.7指电阻的长度，一般用AXIAL0.4 瓷片电容：RAD0.1-RAD0.3。　　其中0.1-0.3指电容大小，一般用RAD0.1 电解电容：RB.1/.2-RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8指电容大小。一般100uF用 RB.1/.2,100uF-470uF用RB.2/.4,470uF用RB.3/.6 二极管：　DIODE0.4-DIODE0.7 其中0.4-0.7指二极管长短，一般用DIODE0.4 发光二极管：RB.1/.2 集成块：　DIP8-DIP40, 其中８－４０指有多少脚，８脚的就是DIP8 贴片电阻0603表示的是封装尺寸 与具体阻值没有关系但封装尺寸与功率有关 通常来说0201 1/20W 0402 1/16W???? u I s V0 0603 1/10W??? I w,v1S2N,a0 0805 1/8W1206 1/4W 电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是: o z0 0402=1.0x0.5???? 0603=1.6x0.8????? 0805=2.0x1.2 1206=3.2x1.6 1210=3.2x2.5 1812=4.5x3.2 2225=5.6x6.5 零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。是纯粹的空间概念因此 不同的元件可共用同一零件封装，同种元件也可有不同的零件封装。像电阻，有传统的 针式，这种元件体积较大，电路板必须钻孔才能安置元件，完成钻孔后，插入元件，再过锡炉或喷锡（也可手焊），成本较高，较新的设计都是采用体积小的表面贴 片式元件（SMD）这种元件不必钻孔，用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板，再把SMD元件放上，即可焊接在电路板上了。关于零件封装