电子元件地伏安特性地测定.doc

电子元件的伏安特性的测定 当一个电子元件两端加上电压，元件内有电流通过时，电压与电流之间便有着一定的关系．通过此元件的电流随外加电压的变化关系曲线，称为伏安持性曲线．从伏安特性曲线所遵循的规律，即可得知该元件的导电特性．若元件的伏安特性曲线呈直线，称为线性电阻；若呈曲线，称为非线性电阻。非线性电阻的伏安特性所反映出来的规律总是与一定的物理过程相联系的。利用非线性元件的特性可以研制各种新型的传感器、换能器，这些器件在温度、压力、光强等物理量的检测和自动控制方面都有广泛的应用。对非线性电阻伏安特性的研究，有助于加深对有关的物理过程、物理规律及其应用的理解和认识。 【实验目的】 1. 了解线性电阻、非线性电阻的伏安特性； 2．掌握用伏安法测电阻时电流表内接、外接的条件； 3．掌握电表量程的选择及读数。 【实验原理】 1．伏安特性曲线 常用的线绕电阻、炭膜电阻和金属电阻等，它们都具有以下的共同特性：即加在电阻两端的电压U与通过它的电流I成正比（忽略电流热效应对阻值的影响）。元件的伏安特性曲线呈直线，如图2.5-1所示。具有这种特性的电阻元件称为线性电阻元件。对于热敏电阻、晶体二极管等，这类元件的特点是：加在元件两端的电压U与通过它的电流I的比值不是一个定值，元件的伏安特性曲线呈曲线，如图2.5-2所示。这类电阻元件称为非线性电阻元件。它的电阻定义为R＝dU/dI，由曲线的斜率求得。 晶体二极管是典型的非线性元件，通常用符号 表示。它的正反两方向的电阻差异很大，其正向电阻只有几欧姆到几百欧姆，而反向电阻却在几千欧姆以上。 如图2.5-2中所示，当二极管加正向电压时，管子呈低阻状态，在OA段，外加电压不足以克服P-N结内电场对多数载流子的扩散所造成的阻力，正向电流较小，二极管的电阻较大。在AB段，外加电压超过阈值电压（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V）后，内电场大大削弱，二极管的电阻变得很小（约几十欧姆），电流迅速上升，二极管呈导通状态。相反，若二极管加上反向电压时，当电压较小时，反向电流很小，在曲线OC段，管子呈高阻状态（截止）。当电压继续增加到该二极管的击穿电压时，电流剧增（CD段，本实验所用硅管大致在U =4.7v左右）二极管被击穿，此时电阻趋于零值。 2．测伏安特性曲线的两种接线方式及其系统误差（电表的接入误差）的修正。 用伏安法测电阻的电路接线方式有两种，如图2.5－3和图2.5－4所示。 图2.5-3是电流表外接法，图2.5-4是电流表内接法，图中R0＝200Ω为保护电子元件的限流电阻。由于电流表和电压表内阻的影响，两种接线方式都有系统误差。在外接电路中，电压表测得的是电阻Rx两端的电压。由于电流表外接，电流表测得的就不只是通过电阻Rx的电流，而是通过电压表和电阻的电流之和，用RV表示电压表的内阻，则 实验测得的电阻值应是： （2.5-1） 由此可见，采用电流表外接法测得的R值比电阻的真值Rx偏小。这种误差显然是由测量方法造成的系统误差，由式（2.5-1）式可以看出，当时，，所以电流表外接法适合测低值电阻。 在电流表内接电路中，电流表测出的是通过电阻Rx的电流，而电压表读出的却是电阻Rx和电流表上的电压之和，用RA表示电流表的内阻，则 实验测得的电阻值应是： （2.5-2） 由此可见，采用电流表内接法测得的R值比电阻的真值Rx偏大。只有当时才有，所以电流表内接法适合测高值电阻。 由上面的讨论可知，由于电压表和电流表内阻的存在，将给电阻的测量引入系统误差。若准确地知道RA和RV值，则可根据电路连接的方式，分别由（2.5-1）式或（2.5-2）式算出Rx的值，将系统误差加以修正。从修正公式可以看出，RV越大，RA越小，其内阻对测量结果的影响也就越小。 3．电表量程和精度的选择 电表的仪器额定误差为AmK%，其中Am为m档的量程，K为该电表的精度等级，一般分为0.1，0.2，0.5，1.0，1.5，2.5和5.0七个级别。所以，在测绘伏安特性曲线时，除了要考虑电表的接入所引起的系统误差外，还必须考虑电表本身的仪器额定误差。 以电流表为例来说明，假设我们用的电流表为1.0级，有1.5，7.5和30三档。正确选择量程可减小误差。例如要测1的电流，用1.5量程，用7.5的量程，用30的量程；。可见用1.5量程，测量的精度最高。 电阻的相对不确定度为 (2.5-3) 式中和 分别为电压表和电流表的仪器额定误差（只考虑B类不确定度），U和I为某一组测量值。 4．晶体三极管的输出特性曲线和晶体三极管的电流放大系数β。晶体三极管晶体三极管的基本功