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国外集成电路命名方法课件
国外集成电路命名方法 ?器件型号举例说明?( 缩写字符:AMD 译名:先进微器件公司(美)) AM
29L509
P
C
B
AMD首标
器件编号
封装形式
温度范围
分类
?
L:低功耗;
D:铜焊双列直插
C:商用温度,
没有标志的
?
S:肖特基;
(多层陶瓷);
(0-70)℃或
为标准加工
?
LS:低功耗肖特基;
L:无引线芯片载体:
(0-75)℃;
产品,标有
?
21:MOS存储器;
P:塑料双列直插;
M:军用温度,
B的为已
?
25:中规范(MSI);
E:扁平封装(陶瓷扁平);
(-55-125)℃;
老化产品。
?
26:计算机接口;
X:管芯;
H:商用,
?
?
27:双极存储器或EPROM ;
A:塑料球栅阵列;
(0-110)℃;
?
?
28:MOS存储器理;
B:塑料芯片载体
I:工业用,
?
?
29:双极微处理器;
C、D:密封双列;
(-40~85 )℃;
?
?
54/74:同25;
E:薄的小引线封装;
N:工业用,
?
?
60、61、66:模拟,双极;
G:陶瓷针栅陈列;
(-25~85)℃;
?
?
79:电信;
Z、Y、U、K、H:塑料
K:特殊军用,
?
?
80:MOS微处理器;
四面引线扁平;
(-30~125)℃;
?
?
81、82:MOS和双极处围电路;
J:塑料芯片载体(PLCC);
L:限制军用,
?
?
90:MOS;
L:陶瓷芯片载体(LCC);
(-55-85)℃<
?
?
91:MOS RAM:
V、M:薄的四面
125℃。
?
?
92:MOS;
引线扁平;
?
?
?
93:双极逻辑存储器
P、R:塑料双列;
?
?
?
94:MOS;
S:塑料小引线封装;
?
?
?
95:MOS外围电路;
W:晶片;
?
?
?
1004:ECL存储器;
也用别的厂家的符号:
?
?
?
104:ECL存储器;
P:塑料双列;
?
?
?
PAL:可编程逻辑陈列;
NS、N:塑料双列;
?
?
?
98:EEPROM;
JS、J:密封双列;
?
?
?
99:CMOS存储器。
W:扁平;
?
?
?
?
R:陶瓷芯片载体;
?
?
?
?
A:陶瓷针栅陈列;
?
?
?
?
NG:塑料四面引线扁平;
?
?
?
?
Q、QS:陶瓷双列。
?
?
器件型号举例说明( 缩写字符:ANA 译名:模拟器件公司(美)) AD
644
A
S
H
/883B
ANA首标
器件
附加说明
温度范围
封装形式
筛选水平
AD:模拟器件
编号
A:第二代产品;
I、J、K、L、M:
D:陶瓷或金属气
MIL-STD-
HA:混合
?
DI:介质隔离产
(0-70)℃;
密双列封装
883B级。
A/D;
?
品;
A、B、C:
(多层陶瓷);
?
HD:混合
?
Z:工作在+12V
(-25-85)℃;
E:芯片载体;
?
D/A。
?
的产品。(E:ECL)
S、T、U:
F:陶瓷扁平;
?
?
?
?
(-55-125)℃。
G:PGA封装
?
?
?
?
?
(针栅阵列);
?
?
?
?
?
H:金属圆壳气
?
?
?
?
?
密封装;
?
?
?
?
?
M:金属壳双列
?
?
?
?
?
密封计算机部件;
?
?
?
?
?
N:塑料双列直插;
?
?
?
?
?
Q:陶瓷浸渍双列
?
?
?
?
?
(黑陶瓷);
?
?
?
?
?
CHIPS:单片的芯片。
?
同时采用其它厂家编号出厂产品。
通用器件型号举例说明(缩字字符:BUB 译名:布尔-布朗公司(美))
ADC
803
X
X
X
X
首标
器件编号
通用资料
温度范围
封装
筛选水平
?
?
A::改进参数性能;
J、K、L:
M:铜焊的金属壳封装;
Q:高可
?
?
L:自销型;
(0-70)℃;
L:陶瓷芯片载体;
靠产品;
?
?
Z:+ 12V电源工作;
A、B、C:
N:塑料芯片载体;
/QM:
?
?
HT:宽温度范围。
(-25-85)℃;
P:塑封(双列);
MIL
?
?
?
R、S、T、V:
H:铜焊的陶瓷封装
STD
?
?
?
(-55-125)℃。
(双列);
883产品。
?
?
?
?
G:普通陶瓷(双列);
?
?
?
?
?
U:小引线封装。
?
模拟器件产品型号举例说明( 缩字字符:BUB 译名:布尔-布朗公司(美)) -
--
X
X
X
?
首标
器件编号
温度范围
封装
筛选水平
?
?
?
H、J、K、L:
M:铜焊金属壳封装;
Q:高可靠产品;
?
?
?
(0-70)℃;
P:塑封;
/QM:MIL-STD-
?
?
?
A、B、C:(-25-85)℃;
G:陶瓷。
883产品。
?
?
?
R、S、T、V:
?
?
?
?
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