开关电源的元件选择.ppt

* 使用： 相同容量金属箔常用于脉冲、交流高压、缓冲电路（snubber）和谐振电路。 例如二极管缓冲电容选择步骤：1)不接C测量示波图振荡频率fc;2)在D上并联Cx观察示波图使振荡频率fm=fc/2,电路等效分布电容C＝ Cx/3; 3) 分布电感为L＝1/（2πfc)2C;4) 选择 5)选择电容 电阻功耗： dV/dt 要求 ：应当大于Uo/trr, * 金属化电容在局部击穿时产生高温，金属箔蒸发不会短路，电容量减少极小，这种现象就是所谓自愈能力，体积小，价格低。这类电容除了一般应用以外，常用于电磁兼容的X电容和Y电容。对X电容可选得大一些（典型值为0.1μF～1μF），电压定额 2500V安全要求漏电流不得大于工频泄漏电流为0.25～3.5mA（由产品标准定）常选1～4.7nF，2.2nF为典型值，电压3000V * 金属化聚碳酸酯膜介质CLS体积小，耐高温、温度系数小、绝缘电阻高、自愈性。常应用于逻辑控制电路、延时、积分、滤波、耦合和移相电路。 *金属化电容不使用在低电容、小于0.01?F、谐振电路、吸收电路和低噪声 。 壳温升不超过15°C，高温环境壳温不超过最高允许温度。 * 2. 无机介质电容 云母电容：云母片为介质，浸银后形成电极。 电容量在数pF到1μF； 电压定额在50Vdc到2500V -55℃～150℃内电容量漂移不超过0.5% 比有机介质箔电容更高的dV/dt能力 体积较大，成本较高。适合于定时、缓冲电路和高频交流电路使用。 * 陶瓷介质电容 ： 介质成分是钛酸盐、铌镁酸铅等 分类：3类 1类：高精度，1pF到几个mF；1类：高精度，1pF到几个mF； 2类 ：独石电容，和1类相同的壳体，容量是以上电容20~70倍，但在温度－55℃～125℃范围内变化大约±10%，最大变化为＋15%～－25%； 3类：电容容量是2类大约5倍，电容量随电压和温度变化较大。温度范围－25℃～85℃，电容变化大约＋20%～－65% * 使用 1类用于定时、谐振电路和需要补偿温度效应的电路，也适合要求低损耗和高绝缘电阻的一般电路中使用。在收音机、电视机、收录机等电子产品种要求容量稳定的交直流的脉冲电路中使用。在收音机、电视机、收录机等电子产品种要求容量稳定的交直流的脉冲电路中使用。 2类电容量大，外形尺寸小。电路中用于隔直流、旁路耦合、滤波和对损耗和容量稳定性要求不高的场合。 3类 容量大，但要求不高的地方，价格低廉。多层陶瓷电容，代替低压电解电容,ESR特地，影响闭环设计，断裂为主要失效模式。 * 四、开关电源中电容器 1、 输入EMC滤波、整流和PFC C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 Ui UoHV C8 220V 50Hz A B * C1, C4－EMC差模（常模）滤波：一般采用有机介质金属化交流电容。通常称为X电容。 C2, C3－EMC共模滤波：一般称为Y电容。通常采用高压一类陶瓷电容，或高压金属化电容。要求较低的ESR。数值受安全泄漏电流(3mA)限制。 C5－PFC输入电容：通常采用金属化电容，如CBB。保证PFC工作，输入整流电压为零附近有1V左右电压。减少输入电流过零失真,一般在1~4 μF 。 C6, C7－缓冲（Snubber）电容：一般采用金属箔/膜电容，具有很高的dV/dt能力，以及非常小的ESR和ESL。通常称为snubber 电容。 C8－输出滤波电容：铝电解电容，按纹波电压要求，根据峰值电流和电容的ESR选择容量，检查电容的纹波电流定额是否满足电路要求。 * 2. 功率电路 C11 C9 C9, C10 －Snubber电容，要求极低ESR，一般按dV/dt能力选择电容。 C10 C11－输出滤波电容，电解电容，按纹波电压要求，根据纹波电流和电容的ESR选择电容量。 UoHV Uo 辅助线圈 * 3. 辅助电路 C12 C13 C14 CT C15 控制 IC 驱动 C16 A C12－工频滤波，电解电容电容，按交流整流滤波选择电容量； C13－电解电容。按控制芯片欠压保护回差ΔUUN＝IT/C选择电容量。I－控制电路输入电流；T－功率电路启动时间。 C14－定时电容。薄膜电容或云母电容等精密电容。 C15 C16－去耦电容。一般用途，3类陶瓷及任何电容。 B 来自辅助线圈 * 光耦－光耦合器 LED与光敏晶体管组成 使用： 1. 传输比：γ=Ic/ID。不同的初级二极管电流,是不同的，有非常明显得非线性； 2.传输比γ和三极管的β一样，离散性很大，同时传输比也与温度有关，且比β温度系数大。 3.如果作为开关，有开关延迟。普通光耦延迟0.2~1μs。如果是光敏晶体