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2.1晶体三极管的结构 一、结构与分类 2、结构 三极管的核心是两个互相联系的PN结。 内部结构 3、分类 按管芯半导体材料: 二、三极管的电流放大作用 1、三极管的工作电压 NPN PNP 2、三极管的电流放大作用 仿真实验,读出IB、IC、IE 引入 在电路维修和故障分析中,常常要根据测量的电压,判定三极管是否正常工作,判定是三极管坏了还是电路其他元件坏了。就很有必要掌握三极管的三种工作状态及特点. 三极管的特性曲线 三、 三极管共发射极输入特性 1、三极管的输入特性 三极管的输出特性曲线 定义: 每一个固定的IB值,三极管的输出电流IC和输出电压VCE之间的对应关系。 2.三种状态——三个区 (1)截止区: ①IB?=0,三极管截止,IB=0以下的区域。 ②电流特点:IB=0,IC=ICEO≠0,ICEO叫穿透电流。IB ③电压条件:三极管发射结反偏或两端电压为零时,为截止状态。 想一想:在截止状态下,IB能控制IC吗?NPN管VB=VE,和PNP管的VE=VB,三极管的等效电阻RCE是大还是小?相当于C、E断开吗? (2)饱和区: ①VCE较小的区域。VCEVBE ②电流特点:IC不随IB的增大而变化。IB不能控制IC,IC VCC/RC ③饱和时的VCE值为饱和压降。VCES:硅管为0.3 V,锗管为0.1 V .电压条件:发射结、集电结都正偏,处于饱和 ①电流特点:IC受IB控制,ΔIC=βΔIB,具有电流放大作用。 ②恒流特性:IB一定,IC不随VCB变化,IC恒定。 ③电压条件:发射结正偏,集电结反偏,处于放大状态。 练习:1.判别三极管的工作状态 ,如果是PNP管呢 2、判断三极管的放大状态,各极名称、管型。 小结 三极管工作状态由偏置情况决定。 放 大 截 止 饱 和 发射结正偏 发射结反偏 发射结正偏 集电结反偏 或零 偏 集电结反偏 集电结正偏 练习3 根据输出特性曲线计算直流放大系数、交流放大系数、ICEO等 作业 P46 复习思考题: 4、5 工程应用 三极管处于放大工作状态判定 NPN:VCVBVE PNP: VCVBVE 测得VC=VCC,三极管处于截止状态 测得VC接近于零(硅管小于0.7V,锗管小于0.3V),三极管处于饱和状态。 结束语 Thank you!!! 四、三极管使用手册 晶体管手册可以查三极管的:型号、用途、主要参数等。阅读几种典型三极管的主要参数。教材P41和附录2 * 1、外形 观察外形特点: 按组合方式不同,分为PNP和NPN两类 三区{ 三极{ 两个结{ 发射区 基区 集电区 发射极 基极 集电极 发射结 集电结 想一想:三极管的集电极和发射极能互换吗? 硅管 锗管 按内部结构: NPN PNP 按工作频率: 工作频率大于3MHz 高频管 工作频率低于3MHz 低频管 按功率: 大功率管(大于1W)、小功率管(小于1W) 按用途:普通放大管、开关三极管 要使三极管能正常放大信号,必须: 给发射结加正向电压,给集电结加反向电压 基极偏置电阻,为发射结提供正向偏压 Rb 负载电阻,集电极供电 N P N Rc Vcc Rb Rc Vcc Rb Rc Vcc IB 0mA 0.02mA 0.04mA 0.06mA IC 0mA 2mA 4mA 6mA IE 0mA 2.02mA 4.04mA 6.06mA 分析表格中数据,你能得出哪些结论? (1)三个电极的电流分配关系 IE=IB+IC IC IE (2)三极管具有电流放大作用:直流电流放大系数 三极管的输入电流IB与输入电压VBE之间的关系 2.输入特性曲线 当VBE大于发射结死区电压时,(硅管约0.5V,锗管约0.2V)IB开始导通。VBE升高,IB就增大。导通后VBE的电压称为发射结正向电压或导通电压值,硅管为0.7 V,锗管约为0.3 V。 截止状态 想一想:在饱和状态下,IB能控制IC吗?NPN管和PNP管的VE和VB的关系? 三极管的等效电阻RCE是大还是小?相当于C、E怎么样? 饱和状态 (3)放大区: ???想一想:在放大状态下,IB能控制IC吗? NPN管和PNP管的VE和VB的关系? 三极管的等效电阻RCE有什么特点?IB控制RCE的吗? 总结:三极管工作状态由偏置情况决定。 管型 放大状态 饱 和状态 放 大状态 电压条件 发射结正偏 集电结反偏 发射结正偏或零 偏 ,集电结
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