ESD8006MUTAG中文资料(ONSEMI)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」.pdf

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ESD8006MUTAG中文资料(ONSEMI)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」

芯片中文手册,看全文,戳easyds.cn ESD8006 低电容ESD 保护二极管的高 高速数据线 所述ESD8006瞬态电压抑制器是专门设计 保护USB 3.0和迅雷接口的ESD.超低电容和低ESD钳位电压,使该器件用于 保护电压敏感的高速数据线的理想解决方案.流通式的封装设计,便于PCB布 局和匹配的布线长度必须保持高速差分线之间是一致的阻抗. 标记标记 框图框图 UDFN8 6TMG CASE 517CB G 特征特征 1 • 低电容(0.25 pF的最大值,I / O至GND ) 6T =具体设备守则 • 保护以下IEC标准: M =日期代码 G = Pb-Free包装 IEC 61000-4-2 (4级) (注:微球可在任一位置) • 低ESD钳位电压 • 这些器件是无铅,无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS 标准 引脚配置引脚配置 典型应用典型应用 GND GND • USB 3.0 10 9 • 霹雷 • 显示端 1 2 3 4 5 6 7 8 I/O I / O GND I / O I / O GND I / O I/O 最大额定

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