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工程科技與教育學刊 第六卷 第三期 民國九十八年九月 第 273 ~283 頁
以溶膠凝膠法製備 PZT 壓電薄膜於噴墨技術之應用
蔡立仁、林哲宇
國立高雄應用科技大學 機械與精密工程所
E-mail: liren@cc.kuas.edu.tw
摘 要
本研究主以溶膠-凝膠法( sol-gel ),製備鋯鈦酸鉛Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 (PZT )壓電薄膜,此方法的優點包
括:成本低、調整比例精準、易於製作大面積。所得試片以 XRD 作結晶相分析,利用 SEM 觀察薄膜表面,
同時電滯曲線儀測其壓電性。
研究結果,550~650℃的高溫能獲得鈣鈦礦相結構。基板 Pt/Ti/SiO2/Si 在 550℃、600℃退火,測量其鐵
電性質分別可得最佳殘留極化電場 Pr=8.124μC/cm2 、Pr=13.348μC/cm2
關鍵詞:溶膠凝膠、殘留極化電場
1. 前 言
隨著製程的技術不斷進步,主動元件功能大幅躍進、體積不斷微小化,如果將壓電材料應用於電子週
邊產品,便可得到更輕、薄、短、小且功能強大的前衛產品。
微機電系統 (Mircoelectro-mechanical systems,MEMS )中所應用的先進材料,鐵電薄膜 (Ferroelectric thin
film )具焦電性(pyroelectric )、高介電常數、壓電性(piezoelectric )等多項特性。由於具有如此多之特性,
並有廣大之應用價值。
近年來,科學工作者越來越關注 PZT 壓電薄膜,有著其他潛在的應用。若利用鐵電陶瓷材料的焦電性
則可製成熱釋電探測感測器(Pyreolectric infrared detectors )[1] 、若利用壓電性則可製成靈敏的壓力感測器
(Pressure sensor )、加速計(Accelerometer )、微馬達(Micro motor )、微幫浦(Micro pump )壓電致動器(PZT
actuators) 、超音波轉換器(Ultrasound transducers );若利用電光性質(Electro-optic ),可製成光閘元件、光
導電記憶體及顯示器;若利用鐵電陶瓷材料的電滯(Hysteresis )特性,則可製成非揮發性鐵電記憶體
(Non-volatile ferroelectric random access memories, NVFRAM )[2] 、[3] 、[4] 、[5] 。
在所有 PZT 壓電薄膜,溶膠凝膠法(sol-gel )被廣泛應用,可以達到奈米等級的薄膜、調配比例精準、
成本低、均勻性佳與再現性佳。
表 1 溶膠凝膠法製備 PZT 壓電薄膜文獻回顧
year Author Zr :Ti Annealing Pr(μC/cm2) Ref
L.Sun
2004 30 :70 640℃ 7.2 [6]
et al
J G E Gardenierst
1995 52 :48 850℃ 5 [7]
et al
M. Es-Souni
2007 52 :48 700℃ 1.18 [8]
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