华虹宏力2016年势头强劲一举斩获多项大奖.PDF

華虹宏力2016 年勢頭强勁 一舉斬獲多項大獎 （中國，上海—2017 年3 月24 日）3 月23 日至24 日，“2017 中國半導體市場年會暨第六届中國集成 電路産業創新大會” （IC Market China 2017）以“智慧引領未來、資本助力發展”爲主題在南京召 開。基于 2016 年的亮眼表現，全球領先的 200mm 純晶圓代工廠──華虹半導體有限公司(股份代號： 1347.HK)之全資子公司上海華虹宏力半導體製造有限公司 （“華虹宏力”）成功斬獲“2016 年中國半 導體製造十大企業”及“2016-2017 中國功率器件市場年度成功企業”兩項大獎，幷憑藉其 “600V-1200V 場截止型 IGBT 芯片製造工藝技術”摘得 “第十一届（2016 年度）中國半導體創新産品 和技術”獎 。 華虹宏力作爲全球首家提供場截止型 （FS, Field Stop ）IGBT 量産技術的 200mm 晶圓代工廠，其 600V-1200V FS IGBT 工藝製造平臺提供深溝槽刻蝕、鈍化、超薄片加工（包括背面注入、激光退火、 背面金屬化）等國際領先技術，可爲客戶提供高品質、高可靠性的IGBT 芯片製造代工服務。IGBT作爲 功率器件的主流發展方向，已在變頻家電、工業控制、汽車電子 、新能源、智能電網等諸多領域獲得 廣泛應用，未來市場更將飛速成長。此前 ，我國在IGBT 這類高端功率半導體器件領域的設計、製造能 力相對落後。但華虹宏力與客戶携手成功開發了基于溝槽栅結構的600V-1200V場截止型IGBT ，打破了 國外公司的技術壟斷，填補了國內空白。截至目前，華虹宏力獨特且具競爭力的場截止型 IGBT 累計出 貨量已超過30,000 片晶圓，幷保持快速增長趨勢。 華虹宏力設計經理楊光軍也在會議上發表了題爲 “嵌入式存儲器（eNVM）助力物聯網發展”的精彩演 講。他表示，物聯網産業發展迅猛，半導體行業也順勢而上。華虹宏力擁有全球領先的嵌入式存儲器 工藝平臺組合，技術節點涵蓋0.5 微米至90 納米。2016 年，華虹宏力90 納米eNVM 工藝成功量産，采 用公司 eNVM 技術製造的金融 IC 卡芯片産品分別成功獲得國際權威機構頒布的CC EAL5+ 、EMVCo 安全 證書，以及萬事達CQM 認證。而應對微控制器（MCU ）應用，華虹宏力推出了0.11 微米超低漏電（ULL） 嵌入式閃存及 eEEPROM 技術平臺，可提供全面、靈活 、極具競爭力的解决方案，在物聯網、可穿戴設 備、智能電網及汽車電子設備等領域有著廣泛應用。華虹宏力將牢牢把握物聯網市場機遇，持續提升 工藝性能，堅持創新，不斷追尋“芯”夢想。 1 / 3 華虹宏力二廠工程一部副部長沈今楷博士 （左三）代表公司領獎 華虹宏力所獲獎項 2 / 3 華虹宏力設計經理楊光軍發表精彩演講 ~完~ 關于華虹宏力 上海華虹宏力半導體製造有限公司（以下簡稱 “華虹宏力”），由原上海華虹NEC 電子有限公司和上海 宏力半導體製造有限公司新設合幷而成，是世界領先的 200mm 純晶圓代工廠。華虹宏力在上海張江和 金橋共有3 條200mm 集成電路生産綫，月産能達15.5 萬片，工藝技術覆蓋 1 微米至90 納米各節點， 在標準邏輯、嵌入式非易失性存儲器、電源管理、功率器件 、射頻、模擬和混合信號等領域形成了具 有競爭力的先進工藝平臺，幷正在持續開發多種微機電系統（MEMS ）工藝解决方案。公司總部位于中 國上海，在中國臺灣、日本、北美和歐洲等地均提供銷售與技術支持。 如欲取得更多華虹宏力相關資料，請瀏覽： 3