电子技术模拟部分ch1.ppt

* * 1.4.3　场效应管的主要参数 一、直流参数 饱和漏极电流 IDSS 2. 夹断电压 UP 3. 开启电压 UT 4. 直流输入电阻 RGS 为耗尽型场效应管的一个重要参数。 为增强型场效应管的一个重要参数。 为耗尽型场效应管的一个重要参数。 　　输入电阻很高。结型场效应管一般在 107 ? 以上，绝缘栅场效应管更高，一般大于 109 ?。 * * 二、交流参数 1. 低频跨导 gm 2. 极间电容 用以描述栅源之间的电压 UGS 对漏极电流 ID 的控制作用。 单位：ID 毫安(mA)；UGS 伏(V)；gm 毫西门子(mS) 这是场效应管三个电极之间的等效电容，包括 CGS、CGD、CDS。 极间电容愈小，则管子的高频性能愈好。一般为几个皮法。 * * 三、极限参数 1. 漏极最大允许耗散功率 PDM 2. 漏源击穿电压 U(BR)DS 3. 栅源击穿电压U(BR)GS 由场效应管允许的温升决定。漏极耗散功率转化为热能使管子的温度升高。 当漏极电流 ID 急剧上升产生雪崩击穿时的 UDS 。 场效应管工作时，栅源间 PN 结处于反偏状态，若UGS U(BR)GS ，PN 将被击穿，这种击穿与电容击穿的情况类似，属于破坏性击穿。 * * 作业 36页 1-13 （b）（c）（d）（f）（g）（h） 37页 1-14 （b）（c）（e）（f） * * 作业 58页 1-13 （a）（b）（d）（e）（f） 1-14 （b）（c）（d）（e） * 备注 等效电路由三个基本元件构成 * * 一、稳压管的特点 工作在反向击穿区。 二、双极型三极管 1、符号表示 e c b NPN 　 　 c b e PNP 知识点小结 * * 3、特性曲线 O IB/?A UCE = 1 V 2、三极管的作用: 电流分配和放大作用 IC / mA UCE /V 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA IB = 0 O 5 10 15 4 3 2 1 截止区 放 大 区 饱和区 放 大 区 截止区 截止区 工 作 状 态 截 止 放 大 饱 和 工 作 条 件 iB = 0 0＜ iB ＜ IBS iB ＞ IBS 工 作 特 点 偏 置 情 况 发射结反偏 发射结正偏 发射结正偏 集电结反偏 集电结反偏 集电结正偏 UBE＜0， UBE＜0 UBE＞0， UBE＜0 UBE＞0， UBE＞0 集电极电流 iC = 0 iC =β iB iC = ICS c、e间电压 uCE = VCC uCE = VCC - iC RC uCE = UCES ≈0.3V c、e 间等效电阻 很大， 可变，受iB 控制 很小， 相当开关断开 相当开关闭合 NPN型三极管的三种工作状态及其特点 * * [例2]　某放大电路中BJT三个电极的电流如图所示。 IA＝-2mA,IB＝-0.04mA,IC＝+2.04mA,试判断管脚、管型。 解：电流判断法。 　　电流的正方向和KCL。IE=IB+ IC A B C IA IB IC C为发射极 B为基极 A为集电极。 管型为NPN管。 * * [例3]:测得工作在放大电路中几个晶体管三个电极的电位U1、U2、U3分别为： （1）U1=3.5V、 U2=2.8V、　U3=12V （2）U1=-3V、　U2=-2.8V、　U3=-12V （3）U1=16V、　U2=5.7V、　U3=5V （4）U1=-6V、　U2=-2.2V、　U3=-2V 判断它们是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？确定e、b、c 　　（1）U1 b、U2 e、U3 c NPN 硅 （2）U1 b、U2 e、U3 c PNP 锗 （3）U1 c、U2 b、U3 e NPN硅 （4）U1 c、U2 b、U3 e PNP 锗 分析： NPN：UBE0，UCB0 ， Uc Ub Ue PNP： UBE0，UCB0， Uc Ub Ue 先求UBE，若等于0.7V，为硅管；若等于0.2V，为锗管。 解： * * 1.3.4　三极管的主要参数 三极管的连接方式 IC IE + C2 + C1 VEE Re VCC Rc (b)共基极接法 VCC Rb + VBB C1 T IC IB C2 Rc + (a)共发射极接法 图 1.3.10　NPN 三极管的电流放大关系 * * 一、电流放大系数 表征管子放大作用的参数，有以下