内存储器及其管理.ppt

* * 第7章???内存储器及其管理 7.1 存储器概述 7.2 半导体存储器 7.3 半导体存储器在微机系统中的应用 7.4 PC微机的存储器 7.1 存储器概述 7.1.1 存储器的分类 1、按存取速度和在计算机系统中的地位分类 主存储器（简称主存）和辅助存储器（简称辅存） 2、 按存储介质和作用机理分类 存储器可分为磁存储器、光学存储器、半导体存储器。 3、 按存取方式分类 分为可读写存储器RAM和只读存储器ROM 1、存储器容量： 是存储器可以容纳的二进制信息总量。 存储信息的总位（Bit）数 度量： 存储信息的总字节（Byte）数 2、存取速度： 存取时间：一次完整的存取操作时间 存储器芯片的存取速度： 存储周期：两次连续的存取操作之 间的时间间隔 7.1.2 存储器的性能指标 7.2 半导体存储器 双极型RAM 可读写存储器RAM 静态RAM（SRAM） MOS型RAM 动态RAM（DRAM） 只读存储器ROM 半导体 存储器 掩膜ROM 可编程ROM（PROM） 可擦除可编程ROM（EPROM） 电可擦除可编程ROM（E2PROM） 另外，还有一些新型半导体存储器： 闪速EEPROM：FLASH-ROM比ROM的读写速度快，且掉电后信息不丢失 非易失性RAM：NVRAM，SRAM与EEPROM的共同体 新型闪存 1.8V 3.0V 图4.8-1 6116 OE 7.2.1 可读写存储器RAM 常用静态RAM芯片: 2114、6116、6264、62128、62256 读 写 未选通 1 0 × 0 1 × 0 0 1 工作方式 WE OE CE 例1： 6116: 存储容量 2K×8位 工作方式: 1、静态RAM（SRAM） 图7.2 6116芯片引脚图 例2: 62×××系列：存储容量 8K×8位~32 K×8位 2、动态RAM（DRAM） 动态RAM的基本存储单元是单管动态存储电路。其引脚图见图7.3。 7.3 动态RAM 4164外部引脚 数据输入 数据输出 空脚 写信号 行选通信号 列选通信号 7.2.2 只读存储器ROM 1、掩膜式ROM : 厂家进行一次性编程，不能改写。 掩膜式ROM有如下特点： 存储的内容一经写入便不能修改，灵活性差； 存储内容固定不变，可靠性高； 少量生产时造价昂贵，因而只适应于定型批量生产。 2、可编程只读存储器PROM（Programmable ROM） 允许用户进行一次性编程，不能改写。 需要使用专用编程器。 4、电可擦除可编程只读存储器E2PROM（Electrically EPROM） 可以在线多次擦除和重写的ROM, 不使用专门编程器 常用芯片: Intel 2817A（2K×8）等 3、可擦除可编程只读存储器EPROM（Erasable PROM） 可以多次擦除和重写的ROM, 使用专门编程器 常用芯片: Intel 2716（2K×8） 、2732A（4K×8） 2764（8K×8）、27128（16K×8） 27256（32K×8）、27512 （64K×8） 27010 （128K×8）、27020 （256K×8） ………???