第23章 固体的量子理论-补充.doc

第二十三章 固体的量子理论 一、选择题 1、（难度1）与绝缘体相比较，半导体能带结构的特点是 (A) 导带也是空带． (B) 满带与导带重合． (C) 满带中总是有空穴，导带中总是有电子． (D) 禁带宽度较窄． ［ D ］ 2、（难度1）下述说法中，正确的是 (A) 本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参予导电，而杂质半导体(n型或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参予导电，所以本征半导体导电性能比杂质半导体好． (B) n型半导体的导电性能优于p型半导体，因为n型半导体是负电子导电，p型半导体是正离子导电． (C) n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部，使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去，大大提高了半导体导电性能． (D) p型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动． ［ C ］ 3、（难度1）如果(1)锗用锑(五价元素)掺杂，(2)硅用铝(三价元素)掺杂，则分别获得的半导体属于下述类型： (A) (1)，(2)均为n型半导体． (B) (1)为n型半导体，(2)为p型半导体． (C) (1)为p型半导体，(2)为n型半导体． (D) (1)，(2)均为p型半导体． ［ B ］ 4、（难度1）p型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称受主能级)，在能带结构中应处于 (A) 满带中． (B) 导带中． (C) 禁带中，但接近满带顶． (D) 禁带中，但接近导带底． ［ C ］ 5、 （难度1） n型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称施主能级)，在能带结构中应处于 (A) 满带中． (B) 导带中． (C) 禁带中，但接近满带顶． (D) 禁带中，但接近导带底．［ D ］ 6、（难度1）激发本征半导体中传导电子的几种方法有(1)热激发，(2)光激发，(3)用三价元素掺杂，(4)用五价元素掺杂．对于纯锗和纯硅这类本征半导体，在上述方法中能激发其传导电子的只有 (A) (1)和(2)． (B) (3)和(4)． (C) (1) (2)和(3)． (D) (1) (2)和(4)． ［ D ］ 7、（难度1）附图是导体、半导体、绝缘体在热力学温度T =0 K时的能带结构图．其中属于绝缘体的能带结构是 (A) (1)． (B) (2)． (C) (1)，(3)． (D) (3)． (E) (4)． ［ A ］ 8、（难度1）硫化镉(CdS)晶体的禁带宽度为2.42 eV，要使这种晶体产生本征光电导，入射到晶体上的光的波长不能大于 (A) 650 nm． (1 nm = 10?9 m) (B) 628 nm． (C) 550 nm． (D) 514 nm． ［ D ］ (普朗克常量h =6.63×10-34 J·s，基本电荷e =1.60×10-19 C) 9、（难度1）与半导体相比较，绝缘体能带结构的特点是