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15_片内flash模拟EEPROM
LTK
女娲STM32 开发板使用手册
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支持 k
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修订历史 L
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版本号 更改描述 作者 修改时间
1.0.0 第一版 LeiTek 2013-10-07
2.0.0 修订软件 LeiTek 2013-12-20
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目录
第15 章 片内flash 模拟EEPROM 3
15.1 Flash 和EEPROM 3
15.1.1 Flash 和EEPROM 对比3
15.1.2 内部Flash 模拟EEPROM 原理3
15.1.3 Flash 掉电数据恢复5
15.2 内部flash 应用实例 模拟EEPROM 6
15.2.1 实例描述6
15.2.2 实验效果6
15.2.3 硬件设计6
15.2.4 软件设计6
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第15章 片内flash 模拟EEPROM
15.1 Flash 和EEPROM
15.1.1 Flash 和EEPROM 对比
为了节省成本，STM32 内部没有集成EEPROM，当我们需要存储一些数据
时，可使用内部flash 来模拟EEPROM。
不像flash 存储器，EEPROM 在向存储空间重新写入数据时，不需要做擦
除操作。
由于外部EEPROM 和内部flash 模拟的EEPROM 的写入方式有所不同，
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所以使用内部flash 模拟EEPROM 时，要使用掉电恢复机制。
以下表格是他们的主要区别。 k
特性 外部EEPROM 内部flash 模拟的EEPROM
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写入时间 - 若干ms - 字写入时间： 20μs
- 随机字节： 5 到 10
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