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CMOS流程图ppt课件
一.双阱工艺 * n阱的形成 1. 外延生长 2. 氧化生长 3.第一层掩膜（光刻1）“n阱注入” 4. n阱注入 磷注入 5. 退火 3．退火 七．接触(孔)的形成 * 钛金属接触的制作 1．钛的淀积 钛淀积 2．退火 钛硅化物接触形成 3．钛刻蚀 八．局部互连(LI)工艺 * LI氧化硅介质的形成 1．氮化硅化学气相淀积 氮化硅CVD 2．掺杂氧化物的化学气相淀积 3. 氧化层抛光（CMP） 4．第九层掩膜(光刻9) “局部互连” 局部互连刻蚀 * LI金属的制作 1.金属钛淀积(PVD工艺) 2. 氮化钛(TiN)淀积 3. 钨淀积(CVD工艺) 4. 磨抛钨(CMP工艺) 九．通孔1和钨塞1的形成 * 通孔1的制作 1．第一层层间介质氧化物淀积（CVD） 2．氧化物磨抛（CMP） * * p 阱的形成 1. 第二层掩膜(光刻2) “p阱注入” 2. p阱注入 硼注入 3. 退火 二.浅槽隔离工艺 * 槽刻蚀 1．长隔离氧化层 2. 氮化硅淀积 Si3N4 3.第三层掩膜(光刻3) “浅槽隔离” 4. STI槽刻蚀 在外延层上选择刻蚀开隔离区 去光刻胶 * STI氧化物填充 1. 沟槽衬垫氧化硅 2. 沟槽CVD氧化物填充 隔离槽CVD氧化硅 * STI 氧化层抛光 — 氮化物去除 1. 沟槽氧化物抛光(CMP) 2. 氮化物去除 三．多晶硅栅结构工艺 1．栅氧化层的生长 2．多晶硅淀积 3．第四层掩膜(光刻4) “多晶硅栅” 4．多晶硅栅刻蚀 四．轻掺杂漏注入工艺 * n- 轻掺杂漏注入 1．第五层掩膜(光刻5) “n-LDD注入” 2．n- LDD注入 砷注入 * p- 轻掺杂漏注入 1．第六层掩膜(光刻6) “p-轻掺杂注入” 2．p- LDD注入 BF2注入 五．侧墙的形成 1．淀积二氧化硅 2．二氧化硅反刻 用各向异性等离子刻蚀机进行侧墙反刻 六．源/漏注入工艺 * n+ 源/漏注入 1．第七层掩膜(光刻7) “n+源/漏注入” 2．n+源漏注入 砷注入 * p+ 源/漏注入 1．第八层掩膜(光刻8) “p+源/漏注入” 2．p+源/漏注入 硼注入 *
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